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一、FS200R07A1E3:IGBT 模塊 溝槽型場截止 三相反相器 650 V 250 A 790 W 底座安裝
型號:FS200R07A1E3
封裝:模塊
類型:IGBT模塊
產品描述:FS200R07A1E3是HybridPACK™1個模塊,帶溝槽/場阻IGBT 3和發射極控制3二極管和NTC。
FS200R07A1E3 產品屬性:
IGBT 類型:溝槽型場截止
配置:三相反相器
電壓 - 集射極擊穿(最大值):650 V
電流 - 集電極 (Ic)(最大值):250 A
功率 - 最大值:790 W
電流 - 集電極截止(最大值):1 mA
工作溫度:-40°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:模塊
FS200R07A1E3 產品特征:
溝槽IGBT 3
VCES=650伏
溫度=150°C
2.5 kV交流1分鐘絕緣
集成NTC溫度傳感器
二、FS400R07A3E3:650V三相逆變器400A,IGBT模塊
型號:FS400R07A3E3
封裝:模塊
類型:IGBT模塊
產品說明:FS400R07A3E3是HybridPACK™ DC6模塊,帶溝槽/場阻IGBT3和發射極控制的3二極管和NTC。
FS400R07A3E3 產品特征:
VCES=700伏
IC標稱值=400A/ICRM=800A
將阻斷電壓能力提高到705V
VCE,具有正溫度系數的sat
低VCE,sat
低開關損耗
低電感設計
Tvj,操作=150°C
短時延長運行溫度Tvj,op=175°C
2.5kV交流1分鐘絕緣
集成NTC溫度傳感器
高機械堅固性
三、CY8C5668AXI-LP034:微控制器 IC 32 位單核 67MHz 256KB 閃存 100-TQFP
型號:CY8C5668AXI-LP034
封裝:100TQFP
類型:32位單核微控制器IC
產品說明:CY8C5668AXI-LP034提供了一種新型的信號采集、處理和控制方法,并具有高精度、高帶寬和高靈活性等特點。
產品屬性:
核心處理器:ARM® Cortex®-M3
內核規格:32 位單核
速度:67MHz
I/O 數:62
程序存儲容量:256KB(256K x 8)
程序存儲器類型:閃存
EEPROM 容量:2K x 8
RAM 大小:64K x 8
電壓 - 供電 (Vcc/Vdd):1.71V ~ 5.5V
數據轉換器:A/D 2x12b; D/A 4x8b
振蕩器類型:內部
工作溫度:-40°C ~ 85°C(TA)
安裝類型:表面貼裝型
封裝/外殼:100-LQFP,100-TQFP(14x14)
四、ADUC7061BCPZ32:微控制器IC 16/32-bit 10MHz 32KB (16K x 16) 閃存
型號:ADUC7061BCPZ32
封裝:32-LFCSP
類型:微控制器IC
產品說明:ADUC7061BCPZ32是完全集成的8kSPS、24位數據采集系統,在單芯片上集成了高性能多通道Σ-Δ模數轉換器(ADC)、16位/32位ARM7TDMI® MCU和Flash/EE存儲器。
ADUC7061BCPZ32 產品特征:
雙(24位)ADC
單端和差分輸入
可編程的ADC輸出速率(4赫茲至8千赫)。
可編程的數字濾波器
內置系統校準
低功耗操作模式
初級(24位)ADC通道
2個差分對或4個單端通道
PGA(1至512)輸入級
可選擇的輸入范圍:±2.34 mV至±1.2 V
30 nV rms 噪聲
輔助(24位)ADC:4對差分或7個單端通道
片上精密基準(±10 ppm/°C)
可編程的傳感器激勵電流源
200uA至2 mA的電流源范圍
深圳市明佳達電子,星際金華長期(供應及回收)原裝庫存器件!
(供求器件)FS200R07A1E3,FS400R07A3E3,CY8C5668AXI-LP034,ADUC7061BCPZ32。
【供應】只做原裝,庫存器件,價格方面由于浮動不一,請以當天詢問為準!
【回收】只需原裝器件,須有原廠外包裝標簽,有庫存的朋友,歡迎隨時聯絡我們!
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