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碳化硅MOS管國產從650V-1200V-1700V-3300V,后續推出6500V。

發布時間:2023-6-20 12:16    發布者:Eways-SiC
碳化硅MOS管國產從650V-1200V-1700V-3300V,后續推出6500V。 碳化硅MOS耐壓650V-3300V和SiC模塊產品簡介.pdf (10.15 MB) 擁有全自主知識產權,已申請40項專利技術,采用6英寸技術已量產20余款650V~3300V全系列SiC MOSFET產品。
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Eways-SiC 發表于 2023-6-21 09:01:15
碳化硅MOS要推出6500V
Eways-SiC 發表于 2023-6-29 12:19:20
國產SICMOS擁有全自主知識產權
Eways-SiC 發表于 2023-8-2 11:32:55
碳化硅MOS耐壓650V-3300V和SiC模塊產品簡介https://pan.baidu.com/s/1EYxb29Lv-hLx9gt2K3Wuiw 提取碼x913
Eways-SiC 發表于 2023-9-11 15:04:57
6500V 耐壓 牛
Eways-SiC 發表于 2023-10-21 09:13:58
國產SICMOS 頂起
Eways-SiC 發表于 2023-11-13 14:50:45
碳化硅MOS(SiC MOSFET)特性  電子工程網  http://www.qingdxww.cn/thread-841262-1-1.html
Eways-SiC 發表于 2023-12-13 16:02:52
國產SICMOS  牛
Eways-SiC 發表于 2024-1-9 08:44:45
有碳化硅MOS晶圓
Eways-SiC 發表于 2024-2-18 11:30:28
碳化硅MOS單管、晶圓芯片,全SiC 模塊
Eways-SiC 發表于 2024-6-28 08:52:55
3300V 高壓MOS
Eways-SiC 發表于 2024-10-9 16:40:01
碳化硅MOS驅動設計及SiC柵極驅動器示例 - 模擬電子技術 - 電子工程網  http://www.qingdxww.cn/thread-838162-1-1.html
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