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來源：大半導體產業網 據東科半導體官微消息，日前，東科半導體與北京大學共同組建的第三代半導體聯合研發中心正式揭牌成立。 據悉，北大-東科第三代半導體聯合研發中心將瞄準國家和產業發展全局的創新需求，以第三代半導體氮化鎵關鍵核心技術和重大應用研發為核心使命，重點突破材料、器件、工藝技術瓶頸，增強東科半導體在第三代半導體技術上的創新能力和市場主導力。 資料顯示，東科半導體作為國內最先研發布局氮化鎵芯片研究的企業，國內首創合封氮化鎵電源管理芯片，其產品性能指標等同或部分超出國外同類產品，并以高性能、高可靠性和低功耗等特性被市場廣泛認可，實現國產替代。 東科半導體表示，氮化鎵芯片將在繼續深耕快充等消費電子細分領域市場的同時，進一步拓展進入通信、工業電源、光伏、新能源等眾多產業領域，為推進芯片國產化進程不斷前行。 |
