碳化硅模塊~SiC Module產品簡介

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SiC模塊換向電感降低可以實現SiC MOSFET的全速開關。更高的開關速度可以轉換成更高的開關頻率，從而得到更小的磁性過濾器 元件。同時可以降低開關損耗，提高系統(tǒng)效率。精密的材料和封裝技術可以將芯片與散熱片之間的熱阻減至更小，從而實現更高的功率密度。 全碳化硅SiC模塊產品簡介.pdf (2.85 MB)

2023-9-23 10:59 上傳

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碳化硅模塊
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為縮小半導體器件使用尺寸，提高逆變器功率密度、可靠性、耐用性以及壽命周期。

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實現更高的功率密度，可靠性和效率。

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碳化硅模塊 前途無量

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有AQG-324

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模塊 實現更高的功率密度

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SiC MOSFET碳化硅半導體柵極驅動以及SiC柵極驅動器示例 -  - 電子工程網  http://www.qingdxww.cn/thread-838162-1-1.html

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碳化硅MOS單管650V-1200V-1700V-3300V-6500V和SiC MODULE介紹。電子工程網 -  http://www.qingdxww.cn/thread-821142-1-1.html

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碳化硅MOS管-SiC MODULE產品技術應用簡介https://pan.baidu.com/s/1YVCvtntZntvY2XDpC5uuFw提取碼g4yd
國產碳化硅MOS電壓650V-1200V-1700V-3300V，電流1A-150A

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基于雙脈沖實驗的Sic與IGBT特性對比研究  https://mp.weixin.qq.com/s/TA0FoJiKuKr-BhN_-cvlCw