|
廣泛部署的非易失性存儲器 （NVM）解決方案針對單片機（MCU）、智能卡和物聯網芯片進行了優化 格芯（GlobalFoundries）與Microchip Technology Inc.（美國微芯科技公司）及其旗下子公司Silicon Storage Technology （SST）今日宣布，采用 GF 28SLPe 制程的SST ESF3第三代嵌入式SuperFlash技術NVM 解決方案即將投產。 
在實施SST廣泛部署的ESF3 SuperFlash技術方面，格芯確立了新的行業基準。該實施方案具有以下功能和優勢： • 成本最低的28納米HKMG ESF3解決方案，僅增加了10個掩模，包括真正的5V IO CMOS器件 • SST ESF3 位單元尺寸小于 0.05 平方微米，極具競爭力 • 工作溫度額定值為−40°C至125°C • 讀取訪問時間為25 ns 、編程時間為10 us、擦除時間為4 ms • 超過100,000次編程/擦除循環的耐用性 • 不影響使用GF 28SLPe平臺合格IP的設計流程（EG 流程） • 可立即提供4 Mb至32 Mb 的現成宏程序 • 可從SST或GF獲得定制宏設計支持 隨著邊緣智能化水平的不斷提高，嵌入式閃存的用例也呈爆炸式增長。 在家庭和工業物聯網以及智能移動設備的廣泛應用中，用于安全代碼存儲、OTA更新和增強功能的嵌入式內存正呈上升趨勢。滿足這些需求需要創新的平臺。 格芯首席業務部官員Mike Hogan表示：“格芯很榮幸能與SST合作，在我們強大的28SLPe平臺上開發、認證并投產這款令人印象深刻的嵌入式NVM解決方案。格芯的客戶發現，這款解決方案集高性能、出色的可靠性、IP可用性和成本效益于一身，非常適合先進的MCU、復雜的智能卡以及面向消費和工業產品的物聯網芯片。” Microchip 授權業務部兼SST副總裁Mark Reiten表示：“過去十年，SST與格芯緊密合作，將SST的行業標準ESF1和ESF3 嵌入式閃存技術集成到格芯的130納米BCD、55 納米、40 納米以及當前的28 納米制程平臺并實現產品化。我們欽佩格芯在提供最廣泛的嵌入式NVM解決方案方面的領先地位，期待雙方的緊密合作關系在未來十年帶來更多突破。” 在今天于慕尼黑舉行的格芯 GTS峰會期間，SST在IP合作伙伴區展出其嵌入式閃存技術。 對格芯ESF1 和ESF3平臺解決方案感興趣的客戶，可訪問格芯網站 www.gf.com/technology-platforms ，也可通過www.gf.com/about-us/contact-us與公司聯系了解更多信息。 對SST的ESF1、ESF3 或SuperFlash技術 memBrain™神經形態存儲器解決方案IP產品感興趣的客戶，請聯系info@sst.com或SST網站上列出的相應區域聯系人。 |
