NT2955G-VB一款P溝道TO252封裝MOSFET應用分析

VBsemi

NTF2955T1G (VBJ2658)參數說明  P溝道，-60V，-6.5A，導通電阻58mΩ@10V，70mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，閾值電壓-1~-3V，封裝  SOT223。
應用簡介  NTF2955T1G適用于低功率開關和電流控制等領域。
其低導通電阻和小封裝使其在緊湊場景中表現出色。
適用領域與模塊  適用于低功率開關、電流控制和模擬開關等領域模塊，特別適合緊湊型應用的場景。