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SI2309CDS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應用分析

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發表于 2023-11-23 17:39:19 | 只看該作者 |只看大圖回帖獎勵

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關鍵詞： SI2309CDS-T1-GE3 , MOS管 , MOS , mosfet , vbsemi

SI2309CDS-T1-GE3 (VB2658)參數說明：P溝道，-60V，-5.2A，導通電阻40mΩ@10V，48mΩ@4.5V，20Vgs(±V)，閾值電壓-2V，封裝：SOT23。
應用簡介：SI2309CDS-T1-GE3適用于低功率開關和電流控制等領域。
其低導通電阻和小封裝使其在緊湊場景中表現出色。
適用領域與模塊：適用于低功率開關、電流控制和模擬開關等領域模塊，特別適合緊湊型應用的場景。

VB2658.png (64.26 KB)

SI2309CDS-T1-GE3.pdf

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