Rambus Inc.推出最先進(jìn)的第四代 DDR5 寄存時(shí)鐘驅(qū)動(dòng)器 (RCD)，并于 2023 年第四季度開始向主要 DDR5 內(nèi)存模塊 (RDIMM) 制造商提供樣品。Rambus 第四代 RCD 將數(shù)據(jù)傳輸速率提高到 7200 MT/s，設(shè)立了新的性能標(biāo)桿，相比目前的 4800 MT/s DDR5 模塊解決方案，其內(nèi)存帶寬提高了 50%。它支持服務(wù)器主內(nèi)存性能的快速提升，以滿足生成式人工智能和其他高級(jí)數(shù)據(jù)中心工作負(fù)載的需求。
Rambus首席運(yùn)營(yíng)官范賢志表示：“內(nèi)存是服務(wù)器性能的重要推動(dòng)因素，在生成式人工智能等高要求工作負(fù)載的推動(dòng)下，對(duì)更大內(nèi)存帶寬的需求繼續(xù)急劇上升。Rambus 第四代 DDR5 RCD 是我們致力于提供領(lǐng)先于市場(chǎng)需求的產(chǎn)品，以支持客戶當(dāng)前和計(jì)劃中的服務(wù)器平臺(tái)的最新證明。” IDC計(jì)算半導(dǎo)體的副總裁Shane Rau表示：“在人工智能領(lǐng)域令人驚嘆的創(chuàng)新步伐引導(dǎo)下，高級(jí)工作負(fù)載正推動(dòng)數(shù)據(jù)中心新服務(wù)器平臺(tái)的加速發(fā)展，DDR5 RCD 對(duì)于支持人工智能服務(wù)器中 RDIMM 所需的性能、功耗和信號(hào)完整性至關(guān)重要。” Rambus DDR5內(nèi)存接口芯片組包含RCD、串行檢測(cè)（SPD）集線器和溫度傳感器，對(duì)于提升領(lǐng)先服務(wù)器的性能水平十分重要。憑借在高性能內(nèi)存領(lǐng)域積累30多年的經(jīng)驗(yàn)，Rambus以其信號(hào)完整性（SI）/電源完整性（PI）方面的專業(yè)技術(shù)著稱。這些專業(yè)技術(shù)有助于實(shí)現(xiàn) DDR5 內(nèi)存接口芯片，為數(shù)據(jù)中心服務(wù)器 RDIMM 提供卓越的性能和可靠性。 產(chǎn)品上市時(shí)間 Rambus 7200 MT/s DDR5 RCD 于今日上市。 |
