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來源：全球半導體觀察 過去一年里，終端消費蕭條蔓延至半導體產業各環節，業界大多采取保守態度應之，不過“冬中生暖”，產業下行周期之下，部分細分領域卻呈現逆勢增長，因此吸引了許多廠商落子布局，一大批半導體產業項目如火如荼地進行。 從項目部署上看，據全球半導體觀察不完全統計，2023年全國半導體產業超350個項目迎來新進展，其中簽約/落地項目超100個，開工/奠基項目超90個，竣工投產項目超50個，封頂項目超50個（文末附項目全名單），項目涵蓋第三代半導體、存儲器、汽車芯片、先進封裝、傳感器、射頻芯片、硅片、半導體設備等領域。 壹 半導體產業遍地開花，超350個項目按下“加速鍵” 整體來看，在已披露金額的超350個項目中，投資額最高的是華虹制造（無錫）項目二期金額為67億美元（約480.07億元人民幣），其次是晶合集成12英寸晶圓制造項目，金額為210億元；長飛先進第三代半導體功率器件生產項目，金額超200億元。 · 超100個項目簽約/落地，逾50億元以上金額占7個 在簽約/落地的項目中，投資金額超50億元以上的簽約項目包括杰平方半導體中國香港首間碳化硅（SiC）8英寸先進垂直整合晶圓廠（63.22億元）、中鐵投實業模擬芯片制造項目（56億元）、陜投新興功率半導體產業化基地（51億元）、嘉力豐正特色工藝晶圓制造項目（51億元）、科睿斯半導體FCBGA（ABF）高端載板產業項目（50億元）、共創科技光電半導體產業園（50億元）等。 其中，杰平方半導體擬在中國香港科學園設立以第三代半導體為主的全球研發中心，并投資開設中國香港首間碳化硅（SiC）8英寸先進垂直整合晶圓廠。該項目總投資額預約港幣69億元（人民幣63.22億元），按規劃通線、擴產，包括芯片及微電子產品設計、微電子模組化及生產流程發展等，將于2028年達到年產量24萬片碳化硅晶圓，建成后，將帶動年產值超過港幣110億元，并創造超過700個本地及吸引國際專業人士來中國香港的就業職位。 中鐵投實業模擬芯片項目位于安徽潛山市，計劃分兩期建設，一期計劃投資21億元，建設年產20億顆模擬芯片制造生產線，達產后可實現年銷售額20億元；二期計劃投資35億元，建設年產40億顆模擬芯片制造生產線。 此外，浙江旺榮半導體中高壓功率晶圓擴能項目（30億元）、晶盛機電碳化硅襯底片項目（21.2億元）、富樂德半導體產業項目傳感器子項目（20億元）、領存技術集成電路封裝生產測試項目（約10億元）、佰維存儲第二總部及測試設備研發生產基地項目（30.2億元）、萬潤存儲器項目、華大九天陜西研發基地項目等也備受市場關注。 · 開工/奠基項目超90個，百億項目居多 從表中看，2023年超90個項目迎來了開工/奠基，其中百億項目共計8個，超50億元項目約6個。 百億項目包括晶合集成12英寸晶圓制造項目（210億元）、長飛先進第三代半導體功率器件生產項目（超200億元）、濱海新區電子信息基地項目（先期180億元）、西部科學城重慶高新區芯片項目（145億元）、麗豪半導體一期項目（約110億元）、先導集成電路關鍵材料與高端化合物半導體及器件模組項目（110億元）、ASB芯片先進封測項目（103億元）、創豪半導體高階封裝基板項目（約100億元）。 其中，晶合集成12英寸晶圓制造項目落于安徽合肥新站綜合保稅區，主要從事12英寸晶圓代工業務，是安徽首家12英寸晶圓代工企業，也是合肥首個百億級以上的集成電路項目。晶合集成三期晶圓廠于2023年10月27日落成，將重點圍繞車規級制程平臺開發。 長飛先進第三代半導體功率器件生產項目于2023年8月落戶湖北武漢光谷，項目一期總投資100億元，可年產36萬片SiC MOSFET晶圓，包括外延、器件設計、晶圓制造、封裝等。 濱海新區電子信息基地項目，分階段建設，先期形成12英寸晶圓9萬片/月的產能規模，預計達產后年產值90億元以上，規劃未來5至10年內預計完成投資560億元。項目整體實施后，將與已有的集成電路晶圓制造項目構建集8英寸和12英寸整合全流程的芯片和模組代工服務平臺，形成“千畝千億”產業規模，打造世界級模擬類芯片技術研發和大規模生產基地。 西部科學城重慶高新區芯片項目建設一條2萬片/月的集成電路特色工藝線，建設期5年。該項目建成后年產值預計可達35億元，將帶動輻射產業鏈上下游千億產值聚集。目前，西部（重慶）科學城已初步形成從6英寸、8英寸到12英寸，全產業鏈、全規格的集成電路產業，力爭到2027年，打造集成電路特色工藝集聚高地，實現產值700億元。 超50億元項目包括天域半導體總部及生產制造中心和研發中心建設項目（80億元）、中國中車中低壓功率器件產業化項目（一期59億元）、德信芯片高端功率器件晶圓研發生產項目（50億元）、漢瑞通信半導體產業項目（50億元）、康源電子南通封裝載板項目（50億元）、深藍科技半導體設備及關鍵零部件項目（超51億元）。 · 竣工/投產項目超50個，封頂超50個... 除了簽約、開工外，還有一批半導體項目迎來竣工/投產、封頂、落成、量產、驗收等，涉及華為、晶盛機電、華天科技、粵芯半導體、積塔半導體、捷捷微電、基本半導體、頎中科技、芯恒源、盛美半導體、微容科技、華潤微電子、中環領先、利揚芯片、比亞迪等企業。 從表中可知，竣工/投產的項目包括國家三代半技術創新中心（江蘇南京）一期項目、中芯富晟高端集成電路封裝測試項目、微容科技一期高端MLCC、浙江大和半導體產業園三期建設項目、中微創芯高端智能功率模塊（IPM）項目、中環領先高端硅基材料項目、比亞迪功率器件和傳感控制器件研發及產業化項目一期、旺榮半導體8英寸功率器件項目、吉盛微湖北武漢碳化硅制造基地等。 封頂的項目包括晶盛機電聯合創新產業園項目、頎中先進封裝測試生產基地、承芯半導體高端濾波器項目、捷捷微電子功率半導體車規級產業化建設項目、華芯晶元第三代半導體化合物晶片襯底項目、華潤微電子MEMS傳感器產業園（二期）項目、利揚芯片集成電路測試項目、中國電科（山西）三代半導體技術創新中心項目等。 值得一提的是，與華天科技相關的項目有四個，華天科技（寶雞）集成電路蝕刻高端銅合金引線框架項目、華天存儲及射頻類集成電路封測產業化項目、上海華天集成電路有限公司一期新建項目完成封頂，還有江蘇華天晶圓級先進封測基地項目首批設備已進廠，3號廠房開始動工。而積塔半導體芯片生產線陸續迎來進展，其12英寸汽車芯片先導線于2023年6月成功通線；特色工藝生產線建設項目（二階段）主廠房于9月28日封頂。 此外，還有整體投資金額最高的華虹制造（江蘇無錫）項目主廠房鋼屋架啟動吊裝、華為上海青浦研發中心基本建成、粵芯半導體12英寸集成電路模擬特色工藝生產線項目（三期）主廠房封頂、中芯紹興三期12英寸特色工藝晶圓制造中試線項目量產、盛合晶微江陰制造基地二期生產廠房擴建項目投入使用、芯恒源存儲芯片切割研磨封測項目達到全面正負零、基本半導體車規級碳化硅芯片產線通線、甬矽電子集成電路IC芯片封測項目二期落成、安世半導體封測廠擴建項目摘牌等。 貳 上游項目占比高，產能集中華東地區 從產業鏈環節上看，在去年半導體產業項目中，上游半導體材料占地最高，涉及晶盛機電、天科合達、天岳先進、江豐電子、博康、先導集成、有研半導體、乾晶半導體、中環領先、盾源聚芯等；其次是中游核心環節IC制造，涉及華虹半導體、晶合集成、芯粵能、積塔半導體、捷捷微電、中芯集成、粵芯半導體、格科微、廣芯微電子等。 IC設計環節涉及的企業包括華為、華大九天、龍芯中科、芯啟源、思瑞浦、揚賀揚、至訊創新、廣立微、艾為電子、展芯半導體、矽力杰等；IC封測則包括華天科技、安世半導體、甬矽電子、芯動半導體、長電科技、芯恒源、越亞半導體、利揚芯片等。 
圖片來源：全球半導體觀察制表 從地區分布上看，大部份半導體產業項目位于江蘇、浙江、上海、安徽、山東等華東地區，江蘇和浙江占比較高，值得一提的是一大半的半導體材料項目集中于華東地區；華南地區廣東、西南地區四川、華中地區湖北等占比處于中間水位。
圖片來源：全球半導體觀察制表 叁 細分領域“突飛猛進”，三代半等頻繁出圈 去年整體行情不明朗，但部分細分領域的高速增長吸引市場關注。從表中獲悉，光刻膠、硅基、石英制品、高純電子特種氣體、超純化學品等半導體材料/設備、碳化硅、氮化鎵、傳感器、汽車芯片、IGBT功率器件等是去年廠商們重點布局的領域。 近年來，汽車電動化漸成大趨勢，得益于新能汽車、工業等應用需求的增長，市場對高效電力系統的需求正在不斷增加，為了應對這一趨勢，相關產業正在向以碳化硅（SiC）和GaN為代表的第三代半導體材料過渡。因此，碳化硅、氮化鎵等功率器件大受市場歡迎。 從應用領域上講，氮化鎵除了消費端外，正在擴展電動汽車、計算（數據中心、人工智能、基礎設施）、可再生能源、工業電源以及快速充電器/適配器等快速增長市場的應用。據TrendForce集邦咨詢，全球GaN功率元件市場規模將從2022年的1.8億美金成長到2026年的13.3億美金，復合增長率高達65%。而碳化硅方面，TrendForce集邦咨詢預期，至2026年SiC功率元件市場規模可望達53.3億美元，其主流應用仍倚重電動汽車及可再生能源。 碳化硅、氮化鎵等第三代半導體項目包括長光華芯先進化合物半導體光電子平臺新建項目、芯粵能碳化硅項目、天域半導體總部及生產制造中心和研發中心建設項目、泰科天潤碳化硅總部項目、基本半導體車規級碳化硅芯片產線、乾晶半導體碳化硅襯底項目中試線、晶盛機電碳化硅襯底片項目、吉盛微武漢碳化硅制造基地、中科重儀自研功率型硅基氮化鎵生產線、博康（嘉興）半導體氮化鎵射頻功率芯片先導線項目等。 與此同時，國際半導體產業協會（SEMI）此前表示，2023年及2024分別有11座及42座晶圓廠投產，涵蓋了4英寸到12英寸晶圓的生產線。另據全球半導體觀察不完全統計，中國大陸晶圓代工廠規模達到44家、未來將增至32家，制程方面則將專注于成熟工藝。業界認為未來預計會有更多的晶圓廠產能釋放，將帶動上游半導體材料和設備的需求。 去年涉及的材料/設備項目，包括江豐臨港基地電子專用材料產業化項目、上海新昇半導體集成電路硅材料工程研發配套項目、山東有研刻蝕設備用硅材料及硅片擴產項目、滬碳年產3萬噸半導體用高端等靜壓石墨材料生產項目、中環領先高端硅基材料項目、晶升股份總部生產及研發中心項目等。 此外，上述表中不乏有存儲器項目，包括致真存儲芯片制造項目、佰維存儲晶圓級先進封測制造項目、華迅科技高可靠性存儲器生產項目、萬潤存儲器項目、至訊創新（二期）項目、同有科技存儲系統及SSD研發智能制造基地項目等。值得一提的是，去年下半年存儲器產業出現反轉，存儲芯片開始上漲，存儲廠商終于等來暖春。據TrendForce集邦咨詢研究，預估2024年第一季NAND Flash合約價平均季漲幅15~20%；DRAM合約價季漲幅約13~18%，其中Mobile DRAM持續領漲。 結語 從上述大批量半導體產業項目動態上看，由于半導體產業的供需關系變化多端，產業鏈環節布局重點有所變動，項目聚焦在第三代半導體、IGBT、半導體材料、傳感器等細分領域。總體而言，雖然去年整體行業迷霧環繞，但廠商們有條不紊地展開部署，只為蓄能以待機遇降臨。 此外隨著AI、5G、HPC、新能源等應用市場拉升芯片需求，加上近期消費終端暖風傳來，存儲器、CIS、模擬IC、功率半導體等上游芯片價格上揚，業界揚言，看好未來半導體產業景氣度。這也意味著，半導體產業已然渡過了最辛苦的低谷期，產業增長“齒輪”開始轉動。另據國際半導體行業協會（SIA）表示，展望未來，全球半導體市場預計將在2024年實現兩位數增長。 |
