Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極管，提升開關電源設計能效和可靠性

發布時間：2024-6-28 19:56 發布者：eechina

器件采用MPS結構設計，額定電流5 A~ 40 A，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低

威世科技Vishay Intertechnology, Inc.推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極管。Vishay Semiconductors器件采用混合PIN 肖特基（MPS）結構設計，具有高浪涌電流保護能力，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流低，有助于提升開關電源設計能效和可靠性。

日前發布的新一代SiC二極管包括5 A至40 A器件，采用TO-220AC 2L、TO-247AD 2L和TO-247AD 3L插件封裝和D2PAK 2L（TO-263AB 2L）表面貼裝封裝。由于采用MPS結構——利用激光退火背面減薄技術——二極管電容電荷低至28 nC，正向壓降減小為1.35 V。此外，器件25 C下典型反向漏電流僅為2.5 μA，因此降低了導通損耗，確保系統輕載和空載期間的高能效。與超快恢復二極管不同，第三代器件幾乎沒有恢復拖尾，從而能夠進一步提升效率。

碳化硅二極管典型應用包括FBPS和LLC轉換器AC/DC功率因數校正（PFC）和 DC/DC超高頻輸出整流，適用于光伏逆變器、儲能系統、工業驅動器和工具、數據中心等。這些嚴苛的應用環境中，器件工作溫度可達+175°C，正向額定浪涌電流保護能力高達260 A。此外，D2PAK 2L封裝二極管采用高CTI  600的塑封料，確保電壓升高時優異的絕緣性能。

器件具有高可靠性，符合RoHS標準，無鹵素，通過2000小時高溫反偏（HTRB）測試和2000次熱循環溫度循環測試。

器件規格表：

產品編號	IF(AV) (A)	IFSM (A)	IF 下VF (V)	QC (nC)	配置	封裝
VS-3C05ET12T-M3	5	42	1.35	28	單晶圓	TO-220AC 2L
VS-3C10ET12T-M3	10	84	1.35	55	單晶圓	TO-220AC 2L
VS-3C15ET12T-M3	15	110	1.35	81	單晶圓	TO-220AC 2L
VS-3C20ET12T-M3	20	180	1.35	107	單晶圓	TO-220AC 2L
VS-3C05ET12S2L-M3	5	42	1.35	28	單晶圓	D2PAK 2L
VS-3C10ET12S2L-M3	10	84	1.35	55	單晶圓	D2PAK 2L
VS-3C15ET12S2L-M3	15	110	1.35	81	單晶圓	D2PAK 2L
VS-3C20ET12S2L-M3	20	180	1.35	107	單晶圓	D2PAK 2L
VS-3C10EP12L-M3	10	84	1.35	55	單晶圓	TO-247AD 2L
VS-3C15EP12L-M3	15	110	1.35	81	單晶圓	TO-247AD 2L
VS-3C20EP12L-M3	20	180	1.35	107	單晶圓	TO-247AD 2L
VS-3C30EP12L-M3	30	260	1.35	182	單晶圓	TO-247AD 2L
VS-3C10CP12L-M3	2 x 5	42	1.35	28	雙晶圓共陰極	TO-247AD 3L
VS-3C20CP12L-M3	2 x 10	84	1.35	55	雙晶圓共陰極	TO-247AD 3L
VS-3C30CP12L-M3	2 x 15	110	1.35	81	雙晶圓共陰極	TO-247AD 3L
VS-3C40CP12L-M3	2 x 20	180	1.35	107	雙晶圓共陰極	TO-247AD 3L

新型SiC二極管現可提供樣品并已實現量產，供貨周期為13周。

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