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VD1011,內(nèi)置高精度電壓檢測(cè)電路和延遲電路以及內(nèi)置MOSFET,是用于單節(jié)鋰離子/鋰聚合物可再充電 電池的保護(hù)IC。
本IC適合于對(duì)1節(jié)鋰離子/鋰聚合物可再充電電池的過充電、過放電和過電流進(jìn)行保護(hù)
適用2.8V過放保護(hù)的消費(fèi)電子,封裝小、適用小電流、耳機(jī)等消費(fèi)類產(chǎn)品
VD1011具備如下特點(diǎn):
高精度電壓檢測(cè)電路
過充電檢測(cè)電壓 4.30V精度±50mV
過充電釋放電壓 4.15V精度±70mV
過放電檢測(cè)電壓 2.80V精度±100mV
過放電釋放電壓 3.00V精度±100mV
各延遲時(shí)間由內(nèi)部電路設(shè)置
過充電檢測(cè)延遲時(shí)間 典型值100ms
過放電檢測(cè)延遲時(shí)間 典型值 100m
放電過流檢測(cè)延遲時(shí)間 典型值 20ms
低耗電流
工作模式過放電模式
典型值1.5μA( VDD=3.5V
典型值0.5μA(VDD=2.0V
允許向0V電池充電。
寬工作溫度范圍:-40℃~+85℃℃(6)
SOT-23小型封裝:
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