東芝第3代SiC肖特基勢壘二極管產品線增添1200 V新成員，其將助力工業電源設備實現高效率

發布時間：2024-9-25 19:33 發布者：eechina

東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出第3代碳化硅（SiC）肖特基勢壘二極管（SBD）產品線中增添“TRSxxx120Hx系列”1200 V產品，為其面向太陽能逆變器、電動汽車充電站和開關電源等工業設備降低功耗。東芝現已開始提供該系列的十款新產品，其中包括采用TO-247-2L封裝的五款產品和采用TO-247封裝的五款產品。

最新TRSxxx120Hxx系列為1200 V產品，其采用東芝第3代650 V SiC SBD的改進型結勢壘肖特基（JBS）結構[1]。在結勢壘中使用新型金屬，有助于這些新產品實現業界領先的[2]1.27 V（典型值）低正向電壓、低總電容電荷和低反向電流。這可顯著降低較大電源應用中的設備功耗。

東芝將繼續壯大其SiC電源器件的產品線，并將一如既往地專注于提高可降低工業電源設備功耗的效率。

 應用：
- 光伏逆變器
- 電動汽車充電站
- 工業設備UPS的開關電源

 特性：
- 第3代1200 V SiC SBD
- 業界領先的[2]低正向電壓：VF＝1.27 V（典型值）（IF＝IF(DC)）
- 低總電容電荷：TRS20H120H的QC＝109 nC（典型值）（VR＝800 V，f＝1 MHz）
- 低反向電流：TRS20H120H的IR＝2.0 μA（典型值）(VR＝1200 V)

 主要規格：
（除非另有說明，Ta＝25 °C）

器件型號	封裝	絕對最大額定值				電氣特征			樣品查看與供貨情況
		重復峰值反向電壓VRRM（V）	正向DC電流IF(DC)（A）		非重復峰值正向浪涌電流IFSM（A）	正向電壓	反向電流	總電容電荷
						（脈沖測量）VF（V）	（脈沖測量）IR（μA）	QC
								（nC）
				溫度條件	f＝50 Hz	IF＝IF(DC)	VR＝1200 V	VR＝800 V，f＝1 MHz
				Tc（°C）	（半正弦波，t＝10 ms），Tc＝25 °C	典型值	典型值	典型值
TRS10H120H	TO-247-2L	1200	10	160	80	1.27	1	61	在線購買
TRS15H120H			15	157	110		1.4	89	在線購買
TRS20H120H			20	155	140		2	109	在線購買
TRS30H120H			30	150	210		2.8	162	在線購買
TRS40H120H			40	147	270		3.6	220	在線購買
TRS10N120HB	TO-247		5（每個引腳）	160	40（每個引腳）	1.27	0.5	30	在線購買
TRS10N120HB			10（雙引腳）	160	80（雙引腳）	（每個引腳）	（每個引腳）	（每個引腳）	在線購買
TRS15N120HB			7.5（每個引腳）	157	55（每個引腳）		0.7	43	在線購買
TRS15N120HB			15（雙引腳）	157	110（雙引腳）		（每個引腳）	（每個引腳）	在線購買
TRS20N120HB			10（每個引腳）	155	70（每個引腳）		1	57	在線購買
TRS20N120HB			20（雙引腳）	155	140（雙引腳）		（每個引腳）	（每個引腳）	在線購買
TRS30N120HB			15（每個引腳）	150	105（每個引腳）		1.4	80	在線購買
TRS30N120HB			30（雙引腳）	150	210（雙引腳）		（每個引腳）	（每個引腳）	在線購買
TRS40N120HB			20（每個引腳）	147	135（每個引腳）		1.8	108	在線購買
TRS40N120HB			40（雙引腳）	147	270（雙引腳）		（每個引腳）	（每個引腳）	在線購買

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