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10月29日，英飛凌（Infineon）宣布成功推出全球最薄的硅功率晶圓。這款晶圓的直徑為30mm，厚度僅為20微米，相當(dāng)于人類(lèi)頭發(fā)絲的四分之一，是目前最先進(jìn)的40-60微米晶圓厚度的一半。這一技術(shù)突破不僅彰顯了英飛凌在半導(dǎo)體領(lǐng)域的卓越實(shí)力，更為全球半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展開(kāi)啟了新的篇章。 英飛凌此次推出的全球最薄硅功率晶圓，采用了業(yè)界領(lǐng)先的加工技術(shù)，通過(guò)降低晶圓厚度，將基板電阻減半，進(jìn)而將功率損耗減少了15%以上。這一技術(shù)突破不僅提升了晶圓的性能，還為功率器件的集成和設(shè)計(jì)提供了更多可能性。據(jù)英飛凌官方介紹，這款晶圓已被應(yīng)用于其集成智能功率級(jí)（如直流-直流轉(zhuǎn)換器）中，并成功交付給首批客戶(hù)，展現(xiàn)出了廣闊的市場(chǎng)前景。 此外，英飛凌的新型晶圓在電動(dòng)汽車(chē)、智能家居設(shè)備以及綠色能源項(xiàng)目中也具有重要潛力。隨著全球?qū)沙掷m(xù)發(fā)展和節(jié)能減排的需求不斷增加，英飛凌的這款最薄硅功率晶圓將成為推動(dòng)這一轉(zhuǎn)變的重要力量。其超薄設(shè)計(jì)和高效能的特性，預(yù)示著未來(lái)半導(dǎo)體行業(yè)將向著更高的技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)和更靈活的設(shè)計(jì)方向邁進(jìn)。 英飛凌科技電源與傳感系統(tǒng)事業(yè)部總裁在發(fā)布會(huì)上表示：“這款全球最薄的硅晶圓展現(xiàn)了我們致力于通過(guò)推動(dòng)功率半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，為客戶(hù)創(chuàng)造非凡的價(jià)值。英飛凌在超薄晶圓技術(shù)方面的突破標(biāo)志著我們?cè)诠?jié)能功率解決方案領(lǐng)域邁出了重要一步，并且有助于我們充分發(fā)揮全球低碳化和數(shù)字化趨勢(shì)的潛力。” |
