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今日，SK海力士宣布成功量產全球首款321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存，這一創新標志著NAND閃存技術邁入了一個全新的高度。 SK海力士表示，此次量產的321層NAND閃存不僅突破了技術界限，還率先實現了超過300層的NAND閃存量產。與前一代的238層NAND閃存相比，這款新型閃存在數據傳輸速度和讀取性能上分別提升了12%和13%，同時在能效方面也提高了10%以上。這一顯著的性能提升，無疑將為數據中心、智能手機、個人電腦等設備提供更強大、更高效的存儲支持。 
在開發過程中，SK海力士采用了高效的“3-Plug”工藝技術，該工藝涉及三次通孔工藝流程的優化，確保了多個通孔之間的電氣連接得以有效實施。通過引入低變形材料和通孔間的自動排列矯正技術，SK海力士克服了堆疊技術中的諸多挑戰，成功實現了更為緊湊和穩定的堆疊結構。這不僅提升了閃存的性能穩定性，還有效減少了制造過程中的誤差，提高了產品的可靠性。 此外，SK海力士在開發過程中沿用了與238層NAND閃存相同的開發平臺，最大限度地減少了工藝切換的影響，并將生產效率提高了59%。這一生產效率的提升，使得SK海力士能夠以更具競爭力的價格提供高性能的存儲產品，進一步鞏固了其在存儲器產業鏈中的地位。 SK海力士計劃從2025年上半年起向客戶提供321層NAND閃存產品，以滿足市場對高性能存儲的不斷增長的需求。隨著數據量的不斷增加，傳統的存儲解決方案往往難以滿足用戶的需求。而321層NAND閃存的高性能特性，無疑將為各種應用場景提供更快、更高效的解決方案。無論是在高性能游戲、高清視頻播放，還是在日常多任務操作中，其出色的速度和穩定性都能極大提升用戶體驗。 SK海力士NAND開發負責人表示：“最新的發展，使公司離以AI數據中心和設備端AI的SSD為代表的AI存儲市場的領導地位又近了一步�！边@一技術突破不僅將推動SK海力士在AI存儲市場的競爭力，也將對整個存儲行業產生深遠的影響。 |
