MOSFET 晶體管：IPTG025N15NM6（IQE220N15NM5CGSC）IQE220N15NM5SC

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深圳市明佳達(dá)電子，星際金華長期（供應(yīng)及回收）原裝庫存器件！
【供應(yīng)，回收】MOSFET 晶體管：IPTG025N15NM6（IQE220N15NM5CGSC）IQE220N15NM5SC。
【供應(yīng)】只做原裝，庫存器件，價(jià)格方面由于浮動(dòng)不一，請(qǐng)以當(dāng)天詢問為準(zhǔn)！
【回收】只需原裝庫存器件，須有原廠外包裝標(biāo)簽，有庫存的朋友，歡迎隨時(shí)聯(lián)絡(luò)我們！

一、IPTG025N15NM6：150V，OptiMOS™ 6 功率 MOSFET晶體管，PG-HSOG-8
型號(hào)：IPTG025N15NM6
封裝：PG-HSOG-8
類型：OptiMOS™ 6 功率 MOSFET晶體管
IPTG025N15NM6 - 產(chǎn)品規(guī)格：
FET 類型：N 通道
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
Vds-漏源極擊穿電壓：150 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：26A（Ta），264A（Tc）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：8V，15V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：2.4 毫歐
不同 Id 時(shí) Vgs(th)（最大值）：4V @ 275µA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：137 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（最大值）：9800 pF @ 75 V
Pd-功率耗散：3.8W（Ta），395W（Tc）
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：PG-HSOG-8

二、IQE220N15NM5CGSC：150V，44 A，22mOhm，OptiMOS™ 5 低壓功率 MOSFET 晶體管
型號(hào)：IQE220N15NM5CGSC
封裝：PG-WHTFN-9
類型：Source-Down 系列 - OptiMOS™ 5 低壓功率 MOSFET 晶體管
IQE220N15NM5CGSC - 產(chǎn)品規(guī)格：
系列：OptiMOS™
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
配置：2 個(gè) N 通道（半橋）
漏源電壓（Vdss）：150V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：44 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：22mOhm
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：14.4 nC @ 10 V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安裝類型：表面貼裝型
封裝/外殼：PG-WHTFN-9

三、IQE220N15NM5SC：150V，22mOhm，OptiMOS™ 5 低壓功率 MOSFET 晶體管，PG-WHSON-8
型號(hào)：IQE220N15NM5SC
封裝：PG-WHSON-8
類型：OptiMOS™ 5 低壓功率 MOSFET 晶體管
IQE220N15NM5SC - 產(chǎn)品規(guī)格：
技術(shù)：MOSFET（金屬氧化物）
安裝風(fēng)格：SMD/SMT       
封裝 / 箱體：PG-WHTFN-9
配置：2 個(gè) N 通道（半橋）
漏源電壓（Vdss）：150V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)：44A（Tj）
驅(qū)動(dòng)電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：22mOhm
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（最大值）：14.4 nC @ 10 V
工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ）