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近日，俄羅斯已公布自主開(kāi)發(fā)極紫外光刻（EUV）光刻機(jī)的路線圖，目標(biāo)旨在制造出比荷蘭ASML公司的光刻機(jī)更便宜且更容易制造的產(chǎn)品。 俄羅斯的自主光刻機(jī)在技術(shù)參數(shù)上有獨(dú)特之處，其采用11.2nm的激光光源，而ASML的光刻機(jī)采用的是標(biāo)準(zhǔn)的13.5nm激光光源。這一改變帶來(lái)了多方面的影響。首先，在分辨率方面，11.2nm波長(zhǎng)的分辨率相比13.5nm提高了20%，能夠提供更精細(xì)的芯片制造細(xì)節(jié)。 在成本方面，11.2nm波長(zhǎng)的調(diào)整簡(jiǎn)化了光刻機(jī)的設(shè)計(jì)并降低了光學(xué)元件的成本。這種設(shè)計(jì)改進(jìn)還顯著減少了光學(xué)元件的污染，延長(zhǎng)了諸如收集器和保護(hù)膜等關(guān)鍵部件的使用壽命。而且俄羅斯的光刻機(jī)還可使用硅基光阻劑，預(yù)期在較短波長(zhǎng)下具備更出色的性能表現(xiàn)。 不過(guò)，目前俄羅斯的光刻機(jī)也存在一些限制。例如，其光源功率僅為3.6千瓦，這導(dǎo)致產(chǎn)量?jī)H為ASML設(shè)備的37%，但就小規(guī)模芯片生產(chǎn)需求而言，其性能是足夠的。 該項(xiàng)目由俄羅斯科學(xué)院微結(jié)構(gòu)物理研究所的Nikolay Chkhalo領(lǐng)導(dǎo)。在研發(fā)計(jì)劃上，其分三個(gè)階段推進(jìn)。第一階段聚焦技術(shù)突破，進(jìn)行科學(xué)研究與工程設(shè)計(jì)以解決關(guān)鍵技術(shù)難題，并制定合作框架和設(shè)備清單為后續(xù)奠定基礎(chǔ)；第二階段是實(shí)驗(yàn)驗(yàn)證，制造用于測(cè)試的實(shí)驗(yàn)性光刻設(shè)備，集成高效多鏡頭投影系統(tǒng)和多千瓦激光器，用于200/300毫米晶圓的工藝測(cè)試；第三階段則走向產(chǎn)業(yè)化，開(kāi)發(fā)適合工業(yè)應(yīng)用的高性能光刻設(shè)備，計(jì)劃量產(chǎn)直徑300毫米晶圓的設(shè)備，生產(chǎn)能力預(yù)計(jì)超每小時(shí)60片。 由于西方制裁，俄羅斯難以獲取國(guó)外先進(jìn)光刻設(shè)備，在這樣的背景下，俄羅斯自主研發(fā)光刻機(jī)有助于其實(shí)現(xiàn)技術(shù)主權(quán)，并且從長(zhǎng)遠(yuǎn)來(lái)看，計(jì)劃中的光刻設(shè)備有望為中小型芯片制造商提供更具成本效益的選擇。盡管面臨資金不足和人才匱乏等挑戰(zhàn)，但俄羅斯決心依據(jù)創(chuàng)新路線圖突破困境，并希望在2028年前完成研發(fā)工作。 值得注意的是，俄羅斯光刻機(jī)采用11.2nm波長(zhǎng)，這與現(xiàn)有的EUV基礎(chǔ)設(shè)施不兼容，未來(lái)俄羅斯可能需要在開(kāi)發(fā)自己的光刻生態(tài)系統(tǒng)方面投入大量精力，這一過(guò)程或許需要數(shù)年甚至十年或更長(zhǎng)時(shí)間。 |
