SI53156-A01AGMR缓冲器/TPS74701QDRCRQ1稳压器，IRFH7084TRPBF晶体管/DRV8718SQRVJRQ1驱动器

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深圳市明佳达电子，星际金华（供应及回收）原装库存器件：SI53156-A01AGMR缓冲器/TPS74701QDRCRQ1稳压器，IRFH7084TRPBF晶体管/DRV8718SQRVJRQ1驱动器。

SI53156-A01AGMR：100MHz ，PCI Express 时钟扇出缓冲器，QFN-32
型号：SI53156-A01AGMR（PCIe 时钟缓冲器）
封装：QFN-32
类型：PCI Express 时钟扇出缓冲器
SI53156-A01AGMR 产品属性：
PLL：无
主要用途：PCI Express（PCIe）
输入：时钟，晶体
输出：HCSL
电路数：1
比率 - 输入:输出：1：6
差分 - 输入:输出：无/是
频率 - 最大值：100MHz
电压 - 供电：3.135V ~ 3.465V
工作温度：-40°C ~ 85°C
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：32-QFN（5x5）

TPS74701QDRCRQ1：汽车类 500mA 低压降 (LDO) 线性稳压器，VSON-10
型号：TPS74701QDRCRQ1
封装：VSON-10
类型：低压降 (LDO) 线性稳压器
TPS74701QDRCRQ1 - 产品特征：
VOUT 范围：0.8V 至 3.6V
VIN 范围：0.8V 至 5.5V
VBIAS 范围：2.7V 至 5.5V
低压降：500mA 下的典型值为 20mV， VBIAS = 5V
电源正常 (PG) 输出可实现电源监视或为其他电源提供时序信号
线路、负载和温度范围内的精度为 0.95%
可编程软启动可提供线性电压启动
VBIAS 支持低 VIN 运行，具有良好的瞬态响应
与 ≥ 2.2µF 的任何输出电容器一起工作时可保持稳定
采用小型 3mm × 3mm 10 引脚 VSON 封装

明佳达电子，星际金华（供应及回收）原装器件：SI53156-A01AGMR时钟扇出缓冲器 / LDO线性稳压器TPS74701QDRCRQ1，IRFH7084TRPBF功率MOSFE晶体管 / DRV8718SQRVJRQ1栅极驱动器，如有需求，欢迎联络我们！

IRFH7084TRPBF：40V，100A，单N通道 StrongIRFET™ 功率 MOSFET晶体管，PQFN-8
型号：IRFH7084TRPBF
封装：PQFN-8
类型：N通道功率 MOSFET晶体管
IRFH7084TRPBF - 产品属性：
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1.25 毫欧 @ 100A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：3.9V @ 150µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：190 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：6560 pF @ 25 V
功率耗散（最大值）：156W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：8-PQFN（5x6）
封装/外壳：8-PowerTDFN

DRV8718SQRVJRQ1：具有直列式电流检测放大器的汽车类 40V、8通道半桥智能栅极驱动器，VQFN-56
型号：DRV8718SQRVJRQ1
封装：VQFN-56
类型：半桥智能栅极驱动器
DRV8718SQRVJRQ1 - 产品属性：
输出配置：半桥
应用：DC 电机，通用
接口：逻辑，PWM，SPI
负载类型：容性和阻性
技术：功率 MOSFET
导通电阻（典型值）：4 毫欧
电流 - 输出/通道：62mA
电流 - 峰值输出：62mA
电压 - 供电：3V ~ 5.5V
电压 - 负载：3V ~ 5.5V
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装，可润湿侧翼
封装/外壳：56-VQFN（8x8）