MAX13487EESA收發器,QDM-5631-0-LGA24E-TR-02-1片上系統,XC7A50T-2CSG325I嵌入式 FPGA

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明佳達，星際金華供應 MAX13487EESA收發器,QDM-5631-0-LGA24E-TR-02-1片上系統,XC7A50T-2CSG325I嵌入式 FPGA



MAX13487EESA 半雙工 RS-485/RS-422 兼容收發器

產品描述
MAX13487EESA 是 +5V、半雙工、±15kV ESD 保護型 RS-485/RS-422 兼容收發器，具有一個驅動器和一個接收器。
MAX13487EESA 具有熱插拔功能，可消除上電或帶電插拔期間總線上的錯誤轉換。

MAX13487EESA 具有自動方向控制功能。這種架構使器件非常適合隔離 RS-485 端口等應用，在這些應用中，驅動器輸入與驅動器啟用信號結合使用，以驅動差分總線。

MAX13487EESA 具有降低壓擺率的驅動器，可最大限度地降低 EMI 并減少因端接不當的電纜造成的反射，從而實現高達 500kbps 的無差錯傳輸。

特性
自動定向節省空間
自動定向功能可在傳輸時自動啟用驅動器，無需光耦或其他分立隔離方式
8 引腳 SO 封裝
針對電信、工業和隔離應用的強大保護功能
熱插拔功能可消除上電或帶電插入期間總線上的錯誤轉換
針對 RS-485 I/O 引腳的擴展 ESD 保護（±15kV 人體模型）
可選項優化設計，實現高速或無差錯數據傳輸
增強型回轉速率限制有助于無差錯數據傳輸 (MAX13487E)
高速版本 (MAX13488E) 允許高達 16Mbps 的傳輸速度
1/4 單元負載，允許總線上多達 128 個收發器

應用
自動 HVAC 系統
工業控制
工業電機驅動器
隔離式 RS-485 接口
公用事業計量表

QDM-5631-0-LGA24E-TR-02-1 高集成度片上系統 高集成度 SoC

產品描述
QDM-5631-0-LGA24E-TR-02-1 是一款高度集成的片上系統 (SoC)，專為各種移動和嵌入式應用而設計。它具有功能強大的基于 Arm 的 CPU、先進的圖形處理能力和全面的連接選項。SoC 采用最先進的制造工藝制造，可確保高性能和高能效。

QDM-5631-0-LGA24E-TR-02-1 是一款高度集成、功能豐富的 SoC，集性能、連接性和安全性于一身，非常適合各種移動和嵌入式應用。

規格
CPU： 支持 Armv8-A 架構的 Arm Cortex-A55 CPU 內核
圖形處理器 Adreno 610 GPU，用于高級圖形和多媒體處理
內存 支持高達 2133 MHz 的 LPDDR4X/LPDDR5 內存
存儲： 集成 eMMC 5.1 和 UFS 2.1 存儲控制器
連接性 集成 Wi-Fi 6 (802.11ax)、藍牙 5.1 和全球導航衛星系統 (GPS、GLONASS、北斗、伽利略)
攝像頭 支持雙 1600 萬像素攝像頭，具有先進的圖像信號處理功能
顯示屏 支持高達 60Hz 的 4K 顯示分辨率
多媒體 針對流行編解碼器的硬件加速視頻編碼和解碼
安全性： 集成的高通安全處理單元（SPU）可增強安全功能

XC7A50T-2CSG325I Artix-7 嵌入式 FPGA 可編程邏輯 IC

產品描述
XC7A50T-2CSG325I Artix®-7 系列，針對需要串行收發器、高 DSP 和邏輯吞吐量的低功耗應用進行了優化。為高吞吐量、成本敏感型應用提供最低的總物料成本。

產品特性
先進的高性能 FPGA 邏輯基于真正的 6 輸入查找表 (LUT) 技術，可配置為分布式存儲器。
36 Kb 雙端口塊 RAM，內置用于片上數據緩沖的 FIFO 邏輯。
高性能 SelectIO™ 技術，支持高達 1 866 Mb/s 的 DDR3 接口。
高速串行連接，內置千兆位收發器，速率從 600 Mb/s 到最高 6.6 Gb/s 再到 28.05 Gb/s，提供特殊的低功耗模式，針對芯片到芯片接口進行了優化。
用戶可配置的模擬接口 (XADC)，集成了雙通道 12 位 1MSPS 模數轉換器和片上熱傳感器和電源傳感器。
帶有 25 x 18 乘法器、48 位累加器和用于高性能濾波（包括優化的對稱系數濾波）的預梯形圖的 DSP 片。
功能強大的時鐘管理芯片（CMT），結合了鎖相環（PLL）和混合模式時鐘管理器（MMCM）模塊，可實現高精度和低抖動。
利用 MicroBlaze™ 處理器快速部署嵌入式處理。
PCI Express® (PCIe) 集成塊，適用于高達 x8 Gen3 端點和根端口設計。
多種配置選項，包括支持商品存儲器、具有 HMAC/SHA-256 身份驗證功能的 256 位 AES 加密以及內置 SEU 檢測和校正。
低成本、接線式、裸片倒裝芯片和高信號完整性倒裝芯片封裝，便于在同一封裝的系列產品之間遷移。所有封裝均提供無鉛封裝，部分封裝提供有鉛選項。
采用 28 納米、HKMG、HPL 工藝、1.0V 內核電壓工藝技術和可實現更低功耗的 0.9V 內核電壓選項，專為高性能和低功耗而設計。