MOSFET晶體管IPB100N04S4-H2，串行F-RAM存儲器CY15B128Q-SXET，NOR閃存存儲器S29GL032N90TFI030

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明佳達，星際金華供應 MOSFET晶體管IPB100N04S4-H2，串行F-RAM存儲器CY15B128Q-SXET，NOR閃存存儲器S29GL032N90TFI030



IPB100N04S4-H2 40V OptiMOS-T2 汽車 MOSFET 晶體管

產品描述
IPB100N04S4-H2 是 40V、最大 2.4mΩ 的 OptiMOS-T2 汽車 MOSFET 晶體管。

特性
N 溝道 - 增強模式
通過 AEC 認證
MSL1 峰值回流溫度高達 260°C
175°C 工作溫度
綠色產品（符合 RoHS 規范）
100% 通過雪崩測試

應用
電動助力轉向 (EPS)
輕型電動汽車 (LEV)

CY15B128Q-SXET 128Kbit 汽車電子串行 F-RAM 存儲器 IC SOIC-8

產品描述
CY15B128Q-SXET 是一款采用先進鐵電工藝的 128-Kbit 非易失性存儲器。F-RAM 是非易失性存儲器，其讀寫功能與 RAM 相似。它能提供 121 年的可靠數據保留，同時消除了串行閃存、EEPROM 和其他非易失性存儲器帶來的復雜性、開銷和系統級可靠性問題。

功能特點
128-Kbit 鐵電隨機存取存儲器 (F-RAM) 邏輯結構為 16K × 8
極快的串行外設接口 (SPI)
頻率高達 33-MHz
直接硬件替代串行閃存和 EEPROM
支持 SPI 模式 0（0，0）和模式 3（1，1）
低功耗
33MHz 時 5mA 工作電流
500A 待機電流
12A 休眠模式電流
低電壓運行： VDD = 2.7V 至 3.6V
汽車使用溫度：-40℃ 至 +125
8 引腳小外形集成電路 (SOIC) 封裝

應用
汽車車身控制模塊 (BCM)
汽車主機

S29GL032N90TFI030 32Mbit 并行 NOR 閃存 IC TSOP-48

產品描述
S29GL032N90TFI030 - 32Mbit 并行 NOR 閃存 IC，TSOP-48

S29GL032N90TFI030 是采用 110 納米 MirrorBit 技術制造的 3.0 伏單電源閃存。

S29GL032N90TFI030 是一款 32Mbit 器件，以 2,097,152 個字或 4,194,304 個字節組織。它可以在主機系統或標準 EPROM 編程器中進行編程。

特點
單電源操作
采用 110 納米 MirrorBit 工藝技術制造
增強型 VersatileI/O™ 控制
兼容 JEDEC 標準
增強型 VersatileI/O™ 控制
所有輸入電平（地址、控制和 DQ 輸入電平）和輸出均由 VIO 輸入電壓決定。VIO 范圍為 1.65 至 VCC

性能特點
高性能
90 ns 訪問時間
8 字/16 字節頁面讀取緩沖器
25 ns 頁面讀取時間
16 字/32 字節寫緩沖器可縮短多字更新的總體編程時間
低功耗
25 mA 典型初始讀取電流、
1 mA 典型頁面讀取電流
50 mA 典型擦除/編程電流
1 µA 典型待機模式電流