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美國(guó)當(dāng)?shù)貢r(shí)間2月19日，半導(dǎo)體設(shè)備巨頭泛林集團(tuán)（Lam Research）正式宣布推出全球首臺(tái)鉬（Mo）原子層沉積（ALD）設(shè)備——ALTUS Halo。這一創(chuàng)新設(shè)備已在邏輯半導(dǎo)體和3D NAND領(lǐng)域獲得早期采用，標(biāo)志著半導(dǎo)體制造技術(shù)的又一重大突破。 ALTUS Halo是泛林集團(tuán)基于其在原子層沉積領(lǐng)域深厚的專業(yè)知識(shí)和技術(shù)積累，專為滿足先進(jìn)半導(dǎo)體器件制造需求而設(shè)計(jì)的一款革命性設(shè)備。該設(shè)備利用鉬的獨(dú)特性質(zhì)，為半導(dǎo)體器件提供了卓越的特征填充和低電阻率、無(wú)空隙的金屬化沉積，從而大幅提升了芯片的性能和可靠性。 據(jù)泛林集團(tuán)介紹，ALTUS Halo代表了半導(dǎo)體金屬化新時(shí)代的轉(zhuǎn)折點(diǎn)。隨著下一代應(yīng)用的性能要求不斷提高，對(duì)更先進(jìn)半導(dǎo)體和新制造工藝的需求也在增加。ALTUS Halo的推出，為未來(lái)人工智能、云計(jì)算和下一代智能設(shè)備的高級(jí)存儲(chǔ)器和邏輯芯片的擴(kuò)展鋪平了道路。 在邏輯半導(dǎo)體領(lǐng)域，ALTUS Halo的高精度沉積技術(shù)使得芯片制造商能夠?qū)崿F(xiàn)更復(fù)雜的電路設(shè)計(jì)和更高的集成度，從而提升了芯片的處理速度和能效。而在3D NAND領(lǐng)域，ALTUS Halo的卓越填充能力和低電阻率特性則使得存儲(chǔ)芯片的容量和性能得到了顯著提升。 泛林集團(tuán)高級(jí)副總裁兼全球產(chǎn)品集團(tuán)總經(jīng)理Sesha Varadarajan表示：“基于泛林集團(tuán)深厚的金屬化專業(yè)知識(shí)，ALTUS Halo是20多年來(lái)原子層沉積領(lǐng)域最重大的突破。它將泛林的四站模塊架構(gòu)和ALD技術(shù)的新進(jìn)展結(jié)合在一起，為大批量生產(chǎn)提供了工程化的低電阻率鉬沉積，這是新興的、未來(lái)的芯片變化（包括千層3D NAND、4F2 DRAM、先進(jìn)GAA邏輯電路）的關(guān)鍵要求。” 據(jù)悉，ALTUS Halo已在多家領(lǐng)先的芯片制造商處進(jìn)行了資格認(rèn)證和爬坡，并獲得了積極反饋。這些制造商表示，ALTUS Halo的引入將顯著提升他們的生產(chǎn)效率和產(chǎn)品質(zhì)量，為他們?cè)诩ち业氖袌?chǎng)競(jìng)爭(zhēng)中贏得更多優(yōu)勢(shì)。 |
