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MPS工程師筆記系列 良好的 EMI 是板級 EMI 設(shè)計和芯片 EMI 設(shè)計結(jié)合的結(jié)果。許多工程師對板級 EMI 的降噪接觸較多，也比較了解，而對于芯片設(shè)計中的 EMI 優(yōu)化方法比較陌生。 今天，我們將以一個典型的 Buck 電路為例，首先基于 EMI 模型，分析其噪聲源的頻譜，并以此介紹，在芯片設(shè)計中，我們?nèi)绾斡嗅槍π缘貎?yōu)化 EMI 噪聲。 一、 Buck 變換器的傳導(dǎo) EMI 模型介紹 我們知道，電力電子系統(tǒng)中，半導(dǎo)體器件在其開關(guān)過程中會產(chǎn)生高 dv/dt 節(jié)點與高 di/dt 環(huán)路，這些是 EMI 產(chǎn)生的根本原因。 而適合的 EMI 模型可以幫助我們分析噪聲產(chǎn)生的原因。 同時，由于傳播路徑的不同，EMI 可以分為共模和差模噪聲（可詳見：汽車電子非隔離型變換器傳導(dǎo)與輻射EMI的產(chǎn)生，傳播與抑制）。 圖 1 中展示了一個典型的 Buck 變換器差模和共模噪聲的傳播路徑。 下載全文： 
【工程師筆記】EMI 噪聲源的分析與優(yōu)化方法.pdf
(1.47 MB)
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