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在人工智能（AI）技術飛速發展的今天，高效、穩定的硬件支持成為了推動AI應用落地的關鍵。微碧半導體（VBsemi）最新推出的IPB180N10S403ATMA1-VB單N溝道場效應晶體管，憑借其卓越的性能和先進的SGT（Super-Grain Technology）技術，為AI領域的各類模塊提供了強有力的支持。 高性能，助力AI計算 IPB180N10S403ATMA1-VB的最大漏極電流高達180A，能夠在高負載環境下穩定運行，確保AI計算模塊在高強度運算中不會因電流不足而出現性能瓶頸。同時，其導通電阻僅為3mΩ（VGS=10V），有效降低了能量損耗，提升了整體能效，特別適合需要長時間運行的AI服務器和數據中心。 低功耗，優化能效比 在AI應用中，能效比是一個至關重要的指標。IPB180N10S403ATMA1-VB的低導通電阻和3V的閾值電壓，使其在低電壓環境下也能保持高效工作，顯著降低了功耗。這對于需要大規模部署的AI設備，如智能攝像頭、自動駕駛系統等，意味著更長的續航時間和更低的運營成本。 高可靠性，保障AI系統穩定運行 AI系統往往需要24/7全天候運行，任何硬件故障都可能導致嚴重后果。IPB180N10S403ATMA1-VB采用TO263-7L封裝，具有良好的散熱性能和機械強度，能夠在惡劣環境下保持穩定工作。其最大漏極-源極電壓為100V，門極-源極電壓為±20V，確保了在高電壓環境下的安全性和可靠性。 廣泛適用，覆蓋多場景AI應用 無論是AI服務器、數據中心，還是自動駕駛、智能家居，IPB180N10S403ATMA1-VB都能勝任。其高性能和低功耗特性，使其成為各類AI模塊的理想選擇。特別是在需要高電流、低功耗的AI推理和訓練場景中，IPB180N10S403ATMA1-VB的表現尤為出色。 微碧半導體的IPB180N10S403ATMA1-VB，憑借其高性能、低功耗和高可靠性，為AI領域的各類應用提供了強有力的硬件支持。在AI技術不斷進步的今天，選擇IPB180N10S403ATMA1-VB，就是選擇了高效、穩定和可靠的未來。 |
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