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Vishay發(fā)布2012年“Super 12”明星產(chǎn)品

發(fā)布時間:2012-4-10 09:53    發(fā)布者:eechina
Vishay 宣布推出2012年的“Super 12”特色產(chǎn)品。Vishay的Super 12集中展示了該公司在半導體和無源器件方面的卓越能力,為設(shè)計工程師提供了實現(xiàn)業(yè)界領(lǐng)先性能規(guī)格的捷徑,以及Vishay廣泛產(chǎn)品組合的典型代表。

2012年的Super 12產(chǎn)品是:

MKP1848S薄膜電容—用于DC-link應用的薄膜鍍金屬直流聚丙烯薄膜電容器,具有2µF~100µF的業(yè)內(nèi)最寬CV范圍,電壓等級500VDC~1,000VDC,以及12mm、15mm、18mm和24mm的小尺寸。

VCUT05D1-SD0 BiSy單線ESD保護二極管—采用新型超小尺寸的CLP0603硅封裝,二極管具有10pF的低電容,可在便攜式電子產(chǎn)品中保護信號和數(shù)據(jù)線免受瞬態(tài)電壓信號的損害。

34 THE非接觸式多匝傳感器—34 THE是業(yè)界首款采用非接觸式技術(shù)的多匝傳感器,采用伺服安裝時具有5千萬次循環(huán)的超長壽命,采用套管安裝時具有1千萬次循環(huán)的壽命,可測量3600°以內(nèi)的任何電角度。

45V Trench MOS勢壘肖特基TMBS單片整流器—具有10A~40A的寬電流范圍,以及在20A電流下低至0.51V的正向壓降。適合在太陽能電池接線盒中用作旁路二極管。

MPM配對電阻網(wǎng)絡(luò)—具有嚴格的比例容差和緊密的TCR跟蹤,分壓比為1:1~100:1,可用于過程控制、測試和測量、儀表、信號調(diào)理和數(shù)據(jù)采集應用。

CNY6系列 CAT IV光耦—業(yè)內(nèi)首款采用表面貼裝封裝和適用于太陽能和風機裝置的器件。光耦可保護人員和設(shè)備避免受到傷害,或是避免被12000V的高電壓尖峰或瞬態(tài)電壓,以及反復出現(xiàn)的1450V的峰值電壓所擊傷,同時還能讓數(shù)據(jù)從高壓側(cè)傳送到低壓的監(jiān)控設(shè)備。

IHLP 3232系列小尺寸、高電流電感—高性能、節(jié)省空間和能源的解決方案,用于移動設(shè)備、筆記本電腦、桌面電腦、服務(wù)器、圖形卡、便攜式游戲機、個人導航系統(tǒng)和其他產(chǎn)品中的電壓穩(wěn)壓模塊(VRM)和DC/DC轉(zhuǎn)換器應用,

SiHG73N60E E系列600 V高壓MOSFET—在10V柵極驅(qū)動下具有39mΩ的導通電阻和最大362nC的超低柵極電荷,可在開關(guān)電壓、PFC、照明和工業(yè)應用中實現(xiàn)出眾的性能。

TM8 MICROTAN 鉭電容器—用于嚴格需要高可靠性醫(yī)療和軍工航天應用,小外形尺寸的TM8具有非常低的直流泄漏電流和可定制的篩選選項,包括威布爾失效率分級。

SiSA04DN 30V MOSFET—TrenchFET Gen IV器件采用熱增強型PowerPAK 1212-8封裝,具有低至2.5mΩ的導通電阻和22.5nC的柵極電荷,使DC/DC轉(zhuǎn)換的優(yōu)值系數(shù)(FOM)達到56。

TNPU e3高精度薄膜片式電阻—兼具可靠性和高等級的精度,容差低至±0.05%,TCR低至±5 ppm/K,可用于放大器、精密電壓分壓器,以及工業(yè)、汽車、航空、醫(yī)療和電信設(shè)備中的控制單元。

SiP12107/8可擴展降壓穩(wěn)壓器—高頻電流模式恒定導通時間(CM-COT)同步降壓穩(wěn)壓器帶有集成的高邊和低邊功率MOSFET。穩(wěn)壓器的功率級可以以4MHz開關(guān)頻率輸出3A或5A的連續(xù)電流,用于計算、消費電子、電信和工業(yè)應用。

網(wǎng)址http://www.vishay.com/landingpage/super12/2012  提供了更多有關(guān)Vishay的Super 12產(chǎn)品的信息。
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