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ARM與GLOBALFOUNDRIES合作推20納米FinFET技術(shù)

發(fā)布時間:2012-8-15 11:07    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: FinFET , 20nm
專供新一代智慧型行動裝置使用 基于ARM處理器、GPU和物理IP的優(yōu)化解決方案將有助于加快關(guān)鍵移動市場的生產(chǎn)

GLOBALFOUNDRIES和 ARM 今天宣布已簽訂了一份多年期協(xié)議,旨在為采用GLOBALFOUNDRIE 20納米與FinFET工藝的 ARM 處理器設(shè)計提供優(yōu)化的系統(tǒng)級芯片 (SoC) 解決方案。該協(xié)議將進(jìn)一步拓展雙方長期合作關(guān)系,并將合作領(lǐng)域擴(kuò)展到在移動設(shè)備中重要性逐漸提高的圖像處理器元件。作為協(xié)議的一部分,ARM 將開發(fā)一個包括標(biāo)準(zhǔn)單元、邏輯電路、內(nèi)存編譯器和 處理器優(yōu)化包(POP) IP 解決方案在內(nèi)的ARM Artisan 物理 IP 的完整平臺。此次合作將有助于將包括智能手機、平板電腦和超薄筆記本在內(nèi)的一系列移動應(yīng)用的系統(tǒng)性能和電源效率提升到一個新的水平。

在共同優(yōu)化 ARM Cortex-A 系列處理器方面,ARM和GLOBALFOUNDRIES已經(jīng)積累了多年合作經(jīng)驗。其中不僅包括28納米工藝上已經(jīng)在性能與功效方面所展現(xiàn)的多項優(yōu)勢,也包括美國紐約州馬爾他鎮(zhèn)的晶圓廠中正在生產(chǎn)的 20 納米測試芯片。通過推動制造IP平臺的創(chuàng)新,新的協(xié)議進(jìn)一步延續(xù)了此前的合作,從而令客戶能夠在20納米工藝平臺上進(jìn)行設(shè)計,有助于客戶迅速轉(zhuǎn)移至三維 FinFET 晶體管技術(shù)。對于ARM 下一代移動 CPU 和 GPU的用戶而言,這項共同開發(fā)則可加快SoC解決方案的上市時間。

GLOBALFOUNDRIES將為下一代高能效 ARM Cortex 處理器和 Mali GPU 技術(shù)開發(fā)優(yōu)化實施和基準(zhǔn)分析,加快客戶使用相應(yīng)技術(shù)進(jìn)行SoC設(shè)計的速度。GLOBALFOUNDRIES 20納米LPM、FinFET制成、POP IP 封裝的ARM Artisan實體IP完整平臺為SoC設(shè)計者提供一個基本建造架構(gòu)。該平臺基于現(xiàn)有的Artisan 物理 IP 平臺,適用于GLOBALFOUNDRIES的多個工藝,包括 65 納米、55 納米、28 納米、以及目前可供授權(quán)的28 納米 SLP Cortex-A9 POP技術(shù)。

ARM 執(zhí)行副總裁兼處理器及物理 IP 部門總經(jīng)理 Simon Segars 表示:“這次的初步合作促進(jìn)了ARM 和GLOBALFOUNDRIES的技術(shù)在針對未來多個重要市場的SoC中的快速采用。同時,為手機、平板電腦和計算應(yīng)用提供設(shè)計服務(wù)的客戶也將由于此次合作中的高能效 ARM 處理器和圖形處理器而獲益匪淺。通過在下一代 20納米LPM與FinFET工藝方面的積極合作,我們能夠確保為雙方的共同客戶提供一系列的實施選項,將先進(jìn)半導(dǎo)體裝置的發(fā)展往前推進(jìn)兩個世代。”

ARM POP 技術(shù)提供市場領(lǐng)先的性能、功耗和面積,加快了 ARM Cortex-A 系列 CPU 的內(nèi)核強化。POP IP 封裝由三部分組成,它們是ARM內(nèi)核優(yōu)化實施的關(guān)鍵。首先,它涵蓋了Artisan 物理 IP 標(biāo)準(zhǔn)單元、邏輯電路以及專門針對特定 ARM 處理器和晶圓廠技術(shù)進(jìn)行調(diào)整的內(nèi)存緩存實例。其次,還同時提供全面的基準(zhǔn)測試報告,用于記錄 ARM 在涵蓋了一系列配置和設(shè)計目標(biāo)的內(nèi)核實施中所需要的精確條件和最終結(jié)果。最后,該封裝還包括了平面布局、腳本、設(shè)計工具和 POP 實施指南在內(nèi)的實施細(xì)則,具體說明了可供最終客戶以極低的風(fēng)險快速實現(xiàn)相似結(jié)果的實施方法。

GLOBALFOUNDRIES 的20 納米 LPM 技術(shù)是一個全面的經(jīng)濟(jì)高效型平臺,可提供最高 40% 的性能提升和兩倍于28 納米芯片的門密度。由于 20 納米 LPM技術(shù)可以實現(xiàn)一系列晶體管功能,它將用于滿足大容量細(xì)分市場中大范圍的功耗和性能點。通過將晶體管和金屬間距完全按比例縮小,所得到的 20 納米 LPM 器件將在成本和面積方面具有很大的競爭優(yōu)勢,符合下一代設(shè)備的需求。

此次合作還拓展到了GLOBALFOUNDRIES基于 FinFET 的工藝。通過早期的預(yù)先準(zhǔn)備,雙方將共同優(yōu)化物理 IP 和工藝,以確保從 20 納米 LPM 的快速遷移。因此,此次合作將以前所未有的速度和更低的風(fēng)險提供一系列實施方案。

GLOBALFOUNDRIES全球銷售與市場的高級副總裁Mike Noonen表示:“ARM技術(shù)已整合至全球許多產(chǎn)量最高的產(chǎn)品之中。相信在今后數(shù)年內(nèi),對于GLOBALFOUNDRIES客戶來說,其重要性都只會不斷提高。藉由我們的實施知識并將其應(yīng)用于下一代高能效 ARM 處理器和圖形處理器,我們相信雙方可以攜手為彼此的共同客戶提供顯著的差異化優(yōu)勢,繼續(xù)引領(lǐng)下下兩代產(chǎn)品的創(chuàng)新。”

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liugang1979 發(fā)表于 2012-8-27 08:34:35
20nm是不是極限啊。。。
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