Vishay發布新款高精度薄膜SMD環繞片式電阻陣列

發布時間：2012-8-30 10:15 發布者：1770309616

日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，發布新系列適用于高溫鉆井和航空應用的高精度薄膜SMD環繞片式電阻陣列---PRAHT。新的PRAHT四電阻網絡的工作溫度為-55℃～+215℃，最高存儲溫度為+230℃，是業內首個采用薄膜技術制造的電阻陣列。

今天發布的Vishay Sfernice器件是油位和壓力傳感器、鉆井勘探工具和航空發動機，以及剎車系統的絕佳選擇。除高溫性能外，電阻網絡在額定功率、+215℃條件下工作2000小時后的負載壽命穩定率，僅有0.7%阻值漂移，具有10ppm/℃的嚴格TCR和2ppm/℃的TCR跟蹤，電阻比的容差低至0.05%。

PRAHT系列的節距為1mm、1.35mm或1.82mm，阻值為10Ω～2MΩ，每個電阻的功率等級為10mW～20mW。器件具有小于-35dB的低噪聲，電壓系數小于0.01ppm/V。符合RoHS的電阻網絡提供工作溫度可達+230℃的金端接，或溫度為+200℃的SnAg端接。

器件規格表：

型號	節距	阻值范圍	功率等級 (每個電阻)
PRAHT 100	1 mm	10 Ω ～ 250 kΩ	10 mW
PRAHT 135	1.35 mm	10 Ω ～ 500 kΩ	12.5 mW
PRAHT 182	1.82 mm	10 Ω ～ 2 MΩ	20 mW

Vishay的新款PRAHT電阻網絡現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十周。

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