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無源器件/分立半導(dǎo)體資料下載列表

STS4DNF60L-VB一款2個N溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

STS4DNF60L-VB一款2個N溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析
STS4DNF60L (VBA3638)參數(shù)說明:2個N溝道,60V,6A,導(dǎo)通電阻27mΩ@10V,32mΩ@4.5V,20Vgs(±V),閾值電壓1.5V,封裝:SOP8。 應(yīng)用簡介 ...
2024年01月10日 16:10   |  
STS4DNF60L   VBsemi   mosfet  

STP30NF20-VB一款N溝道TO220封裝MOSFET應(yīng)用分析

STP30NF20-VB一款N溝道TO220封裝MOSFET應(yīng)用分析
STP30NF20 (VBM1208N)參數(shù)說明:N溝道,200V,35A,導(dǎo)通電阻58mΩ@10V,20Vgs(±V),閾值電壓3V,封裝:TO220。 應(yīng)用簡介:STP30NF20適 ...
2024年01月10日 16:07   |  
STP30NF20   VBsemi  

ST2341S23RG-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

ST2341S23RG-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析
ST2341S23RG (VB2355)參數(shù)說明:P溝道,-30V,-5.6A,導(dǎo)通電阻47mΩ@10V,56mΩ@4.5V,門源電壓范圍20V(±V),閾值電壓-1V,封裝:SOT23。 ...
2024年01月10日 16:04   |  
ST2341S23RG   VBsemi   MOSFET  

SPD30P06PG-VB一款P溝道TO252封裝MOSFET應(yīng)用分析

SPD30P06PG-VB一款P溝道TO252封裝MOSFET應(yīng)用分析
SPD30P06PG (VBE2658)參數(shù)說明:P溝道,-60V,-22A,導(dǎo)通電阻48mΩ@10V,57mΩ@4.5V,門源電壓范圍20V(±V),閾值電壓-1.5V,封裝:TO252。 ...
2024年01月10日 15:54   |  
SPD30P06PG   VBsemi   mosfet  

SI9945AEY-T1-E3-VB一款2個N溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

SI9945AEY-T1-E3-VB一款2個N溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析
SI9945AEY-T1-E3 (VBA3638)參數(shù)說明:極性:2個N溝道;額定電壓:60V;最大電流:6A;導(dǎo)通電阻:27mΩ @ 10V, 32mΩ @ 4.5V;門源電壓范圍: ...
2024年01月10日 15:45   |  
SI9945AEY-T1-E3   VBsemi   mosfet  

SI4559EY-T1-E3-VB一款N+P溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

SI4559EY-T1-E3-VB一款N+P溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析
SI4559EY-T1-E3 (VBA5638)參數(shù)說明:N+P溝道,±60V,正向電流6.5A,反向電流5A,導(dǎo)通電阻28mΩ@10V,34mΩ@4.5V,門源電壓范圍20V(±V), ...
2024年01月10日 15:43   |  
SI4559EY-T1-E3   VBsemi   mosfet  

SI4435DY-T1-E3-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析

SI4435DY-T1-E3-VB一款P溝道SOP8封裝MOSFET應(yīng)用分析
SI4435DY-T1-E3 (VBA2317)參數(shù)說明:極性:P溝道;額定電壓:-30V;最大電流:-7A;導(dǎo)通電阻:23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V;門 ...
2024年01月10日 15:37   |  
SI4435DY-T1-E3   VBsemi   mosfet  

SI3442CDV-VB一款N溝道SOT23-6封裝MOSFET應(yīng)用分析

SI3442CDV-VB一款N溝道SOT23-6封裝MOSFET應(yīng)用分析
SI3442CDV (VB7322)參數(shù)說明:N溝道,30V,6A,導(dǎo)通電阻30mΩ@10V,40mΩ@4.5V,門源電壓范圍20V(±V),閾值電壓1.2V,封裝:SOT23-6。 ...
2024年01月10日 15:33   |  
SI3442CDV  

Si2399DS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

Si2399DS-T1-GE3-VB一款P溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析
Si2399DS-T1-GE3 參數(shù): P溝道, -20V, -4A, RDS(ON), 57mΩ@4.5V, 83mΩ@2.5V, 12Vgs(±V); -0.81Vth(V); SOT23 應(yīng)用簡介: Si2399DS-T1 ...
2024年01月10日 15:20   |  
Si2399DS-T1-GE3  

Si2342DS-T1-GE3-VB一款N溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析

Si2342DS-T1-GE3-VB一款N溝道SOT23封裝MOSFET應(yīng)用分析
Si2342DS-T1-GE3 (VB1240)參數(shù)說明:N溝道,20V,6A,導(dǎo)通電阻24mΩ@4.5V,33mΩ@2.5V,門源電壓范圍8V(±V),可調(diào)閾值電壓范圍0.45~1V,封 ...
2024年01月10日 15:05   |  
Si2342DS-T1-GE3  

鋰電池充放電技術(shù)資料

鋰電池充放電技術(shù)資料。
2020年07月04日 19:40

應(yīng)用Power Metal Strip檢流電阻解決鋰離子充電難題的指導(dǎo)筆記

Vishay發(fā)表一篇新的應(yīng)用筆記---“智能鋰離子充電電池和Power Metal Strip 電阻”。這篇文章總結(jié)了在保持鋰離子充電電池的高性能過程中所遇 ...
2016年12月06日 15:42   |  
檢流電阻   充電  

電子器件基礎(chǔ)知識分享

2015年10月27日 17:58

Avago Full Product Catalog 2014

What’s Inside 4 Fiber Optic Solutions for Networking 14 Optical Components for Broadband Networking and Communication Applicati ...
2015年01月14日 11:06   |  
Avago  

EPSON晶體產(chǎn)品選型指南

Epson Crystal Devices Catalogue 2014 資料下載:
2015年01月14日 10:26   |  
EPSON   晶體  

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