SI4435DY-T1-E3 (VBA2317)參數(shù)說明:極性:P溝道;額定電壓:-30V;最大電流:-7A;導(dǎo)通電阻:23mΩ @ 10V, 29mΩ @ 4.5V, 66mΩ @ 2.5V;門源電壓范圍:20Vgs (±V)閾值電壓:-1.37V;封裝:SOP8![]() 應(yīng)用簡介:SI4435DY-T1-E3 (VBA2317) 是一款P溝道MOSFET,適用于中功率應(yīng)用的開關(guān)控制。 具有低導(dǎo)通電阻,有助于降低功耗和熱量產(chǎn)生。 常用于電源開關(guān)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、LED驅(qū)動(dòng)等。 優(yōu)勢(shì):低導(dǎo)通電阻:有助于降低功耗,提高效率。 適用封裝:SOP8封裝適合需要中等功率控制的設(shè)計(jì)。 適用模塊:SI4435DY-T1-E3 (VBA2317) 適用于中功率開關(guān)控制模塊,如電源管理模塊、電機(jī)驅(qū)動(dòng)模塊等。 |
466.37 KB, 下載積分: 積分 -1
SI4435DY-T1-E3