Vishay P溝道Gen III MOSFET具有業內最低導通電阻

發布時間：2013-12-2 10:17 發布者：eechina

關鍵詞： PowerPAK , MOSFET

12V和-20V器件采用PowerPAK ChipFET和PowerPAK 1212-8S封裝，3.0mm x 1.9mm x 3.3mm的占位體積

Vishay推出采用PowerPAK ChipFET和PowerPAK 1212-8S封裝的新器件，擴充其TrenchFET P溝道Gen III功率MOSFET。今天推出的Vishay Siliconix MOSFET可提高便攜式計算和工業控制設備中的電源效率，是-4.5V和-2.5V柵極驅動下具有業內最低導通電阻的-12V和-20V器件，占位面積為3.0mm x 1.9mm x 3.3mm。

Si5411EDU、Si5415AEDU和SiSS23DN適用于智能手機、平板電腦、筆記本電腦、工業傳感器和POL模塊里的電源管理等各種應用中的負載、電池和監控開關。器件的低導通電阻使設計者能夠在其電路里實現更低的電壓降，更高效地使用電能，延長電池使用壽命。

在節省PCB空間是首要因素的應用里，-12V Si5411EDU不但具有8.2mΩ(-4.5V)和11.7mΩ(-2.5V)低導通電阻，而且3.0mm x 1.9mm PowerPAK ChipFET封裝具有明顯優勢。當需要更高的電壓等級時，-20 V Si5415AEDU可滿足需求，具有9.6mΩ(-4.5V)和13.2mΩ(-2.5V)的低導通電阻。兩款器件的典型ESD保護為5000V。對于需要極低導通電阻的應用，SiSS23DN的4.5mΩ(-4.5V)和6.3mΩ(-2.5V)導通電阻可滿足需求，3.3mm x 3.3 mm PowerPAK 1212-8S封裝的高度低至0.75mm。

Si5411EDU、Si5415AEDU和SiSS23DN進行了100%的Rg和UIS測試。這些MOSFET符合JEDEC JS709A的無鹵素規定，符合RoHS指令2011/65/EU。

器件規格表：

器件型號		Si5411EDU	Si5415AEDU	SiSS23DN
VDS (V)		-12	-20	-20
VGS (V)		± 8	± 8	± 8
RDS(ON) (mΩ) @	4.5 V	8.2	9.6	4.5
	3.7 V	9.4	-	-
	2.5 V	11.7	13.2	6.3
	1.8 V	20.6	22	11.5
封裝		PowerPAK ChipFET	PowerPAK ChipFET	PowerPAK 1212-8S

Vishay的P溝道Gen III系列包括60余款器件，占位面積從5mm x 6mm到0.8mm x 0.8mm。有關MOSFET的更多信息，請訪問http://www.vishay.com/mosfets/geniii-p/。

新款P溝道MOSFET現可提供樣品，并已實現量產，大宗訂貨的供貨周期為十三周。

本文地址：http://www.qingdxww.cn/thread-124063-1-1.html 【打印本頁】

本站部分文章為轉載或網友發布，目的在于傳遞和分享信息，并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責；文章版權歸原作者及原出處所有，如涉及作品內容、版權和其它問題，我們將根據著作權人的要求，第一時間更正或刪除。