IR擴充60V StrongIRFET MOSFET系列

發布時間：2014-7-7 11:49 發布者：eechina

以標準和高性能功率封裝為工業應用提供極低導通電阻

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充60V StrongIRFET功率MOSFET系列，采用多種標準和高性能功率封裝。全新MOSFET適用于要求極低導通電阻 (RDS(on)) 的工業應用，包括電動工具、輕型電動車 (LEV) 逆變器、直流電機驅動器、鋰離子電池組保護和開關模式電源 (SMPS) 二次側同步整流應用等。

經過擴充的60V StrongIRFET系列提供穿孔式封裝和表面貼裝封裝，其中IRF7580M器件采用超精密的中罐式 (ME) DirectFET封裝，可提供大電流密度，有效縮減整體系統尺寸并降低成本，適用于空間受限的大功率工業設計。

全新60V StrongIRFET功率MOSFET系列共有19款器件，均配有可提升低頻率應用性能的極低導通電阻、極高的載流能力、軟體二極管和有助于提高噪聲免疫力的3V典型閥值電壓。該系列的每款器件都完全通過業界最高雪崩電流級別的雪崩測試，能夠為要求嚴格的工業應用提供最堅固耐用的解決方案。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“IR廣泛的60V StrongIRFET MOSFET產品系列具有適合工業市場的低導通電阻和大電流能力，并提供多種封裝選擇，使設計師能夠基于性價比標準靈活選擇最適合其應用的器件。”

與DirectFET系列的其它器件一樣，全新IRF7580M中罐式封裝器件提供能改善可靠性的無鍵合線設計。DirectFET封裝符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 的所有要求，例如提供完全不含鉛的物料清單，因此非常適合長生命周期的設計。而其它同類高性能封裝則采用含鉛的裸片貼裝，雖然符合電子產品有害物質管制規定第7(a) 項豁免條款，但這項豁免將于2016年到期。

規格

采用表面貼裝封裝的60V StrongIRFET

器件編號	BVDSS	25ºC時的ID	VGS為10V時的最大導通電阻	VGS為10V時的Qg	封裝
IRF7580M	60V	116A	3.6	120	中罐式 (ME) DirectFET
IRFS7530-7P		240A	1.4	256	D2-PAK-7
IRFS7534-7P		240A	1.9	200	D2-PAK-7
IRFS7530		195A	2	274	D2-PAK
IRFS7534		195A	2.4	180	D2-PAK
IRFH7085		100A	3.2	110	PQFN 5x6 (B)
IRFR7540		110A	4.8	85	D-PAK
IRFS7537		195A	3.3	142	D2-PAK
IRFS7540		110A	5.1	88	D2-PAK
IRFH7545		85A	5.2	73	PQFN 5x6 (E)
IRFR7546		71A	7.9	58	D-PAK

采用穿孔式封裝的60V StrongIRFET

器件編號	BVDSS	25ºC時的ID	VGS為10V時的最大導通電阻	VGS為10V時的Qg	封裝
IRFB7530	60V	195A	2	274	TO-220
IRFP7530			2	274	TO-247
IRFB7534			2.4	186	TO220
IRFB7537			3.3	142	TO-220
IRFP7537			3.3	142	TO-247
IRFB7540		110A	5.1	88	TO-220
IRFB7545		85A	5.9	75
IRFB7546		58A	7.3	58

產品現正接受批量訂單。相關數據和SPICE模型，請瀏覽IR的網站http://www.irf.com。

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