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器件爬電距離10mm，具有1MBd和10MBd的速率 Vishay推出新系列具有1MBd和10MBd數(shù)據(jù)速率的高速器件---VOW135、VOW136、VOW137和VOW2611，擴充其高隔離電壓光耦的VOW Widebody家族。這些器件是為在高壓新能源和工業(yè)應(yīng)用里提高可靠性而設(shè)計的，VIOTM為8000V，VIORM為1414V，外部爬電距離大于10mm。 
今天推出的Vishay Semiconductors VOW Widebody光耦由一個GaAIAs紅外發(fā)光二極管組成，二極管與集成的光探測器形成光學(xué)耦合。高安全隔離電壓提高了產(chǎn)品的耐用度，除此以外，這些器件內(nèi)部采用了Faraday屏蔽，在輸入和輸出之間具有高功率開關(guān)應(yīng)用所必需的非常高的噪聲隔離能力。 VOW135、VOW136、VOW137和VOW2611是為在太陽能逆變器等新能源，運動和電機控制以及焊接設(shè)備等工業(yè)應(yīng)用里隔離低壓和高壓電路而設(shè)計的。采用VOW Widebody器件，就不需要昂貴的帶保形鍍膜的方案，讓設(shè)計者能夠以低成本和小尺寸來滿足國內(nèi)外安全法規(guī)的要求。 VOW135和VOW136可抵御1000V/μs的共模瞬態(tài)，1MBd數(shù)據(jù)速率下高電平和低電平傳播延遲小于2μs。VOW137和VOW2611的數(shù)據(jù)速率為10 MBd，可抵御40000V/μs的共模瞬態(tài)，同時將高電平和低電平傳播延遲保持在100 ns以下，高脈沖寬度畸變小于40ns。 VOW Widebody光耦采用爬電距離大于10mm的DIP-8 400mil Widebody通孔封裝和表面貼裝的彎引腳封裝。器件符合RoHS指令2011/65/EU及Vishay的綠色標準，滿足UL、cUL、VDE和CQC 5000 m強化絕緣的要求。 |
