晶圓是最常用的半導體材料，同時，其尺寸對集成電路的制作直接相關(guān)。隨著國內(nèi)大力發(fā)展集成電路產(chǎn)業(yè)，晶圓廠的產(chǎn)能也同樣受到了關(guān)注。接下來就按月產(chǎn)能為大家梳理大陸12寸晶圓廠，誰會是產(chǎn)能冠軍？ 首先介紹一下晶圓，晶圓（Wafer）是指硅半導體集成電路制作所用的硅芯片，由于其形狀為圓形，故稱為晶圓。晶圓是生產(chǎn)集成電路所用的載體，一般意義晶圓多指單晶硅圓片。晶圓是最常用的半導體材料，按其直徑分為4英寸、5英寸、6英寸、8英寸等規(guī)格，近來發(fā)展出12英寸甚至研發(fā)更大規(guī)格（14英寸、15英寸、16英寸、……20英寸以上等）。晶圓越大，同一圓片上可生產(chǎn)的IC就越多，可降低成本；但對材料技術(shù)和生產(chǎn)技術(shù)的要求更高，例如均勻度等等的問題。一般認為硅晶圓的直徑越大，代表著這座晶圓廠有更好的技術(shù)，在生產(chǎn)晶圓的過程當中，良品率是很重要的條件。 下面就按產(chǎn)能介紹國內(nèi)五大12寸晶圓廠及其產(chǎn)能 聯(lián)電（廈門）聯(lián)華電子股份有限公司（簡稱“聯(lián)電”）成立于1980年，為臺灣第一家半導體公司。全球半導體業(yè)界的先驅(qū)，是第一家導入銅制程產(chǎn)出晶圓、生產(chǎn)12英寸晶圓、產(chǎn)出業(yè)界第一個65納米制程芯片的公司，同時也是第一家采用28納米制程技術(shù)產(chǎn)出芯片的公司。聯(lián)電的尖端晶圓制造技術(shù)協(xié)助客戶產(chǎn)出速度更快、效能更強的芯片，滿足今日應用產(chǎn)品的需要。聯(lián)電的尖端技術(shù)包括高介電系數(shù)/金屬閘極、低電介值、浸潤式微影術(shù)與混合信號/RFCMOS技術(shù)等。聯(lián)電是臺灣第一家提供晶圓制造服務(wù)的公司，也是臺灣第一家上市的半導體公司（1985年）。 聯(lián)電是12寸晶圓生產(chǎn)制造的領(lǐng)導者，目前有兩座運轉(zhuǎn)中的12寸晶圓廠。Fab 12A位于臺南，自2002年起便開始量產(chǎn)客戶產(chǎn)品，目前生產(chǎn)業(yè)界最先進的28納米制程產(chǎn)品，其單月晶圓產(chǎn)能超過50，000片。聯(lián)電的第二座晶圓廠Fab 12i位于新加坡，這座第二代12寸晶圓廠也已進入量產(chǎn)，單月晶圓產(chǎn)能為45，000片。先進的自動化設(shè)備、成熟的缺陷密度與具競爭力的生產(chǎn)周期，加上客戶導向的產(chǎn)能擴充計劃，使得聯(lián)電成為滿足客戶需求的最佳晶圓專工選擇。除了12寸廠外，聯(lián)電擁有七座8寸廠與一座6寸廠，生產(chǎn)半導體產(chǎn)業(yè)每個主要領(lǐng)域所需的產(chǎn)品。 聯(lián)電1月27日替子公司蘇州晶圓代工廠和艦科技公告，將以6.13億元人民幣、約新臺幣30.52億元，投資入股廈門12寸廠聯(lián)芯，持股比重將達33.33％。 根據(jù)聯(lián)電的規(guī)劃，聯(lián)電預計從2015年起5年內(nèi)投資聯(lián)芯，總投資金額將上看13.5億美元，依計劃進度分期出資，初期將由聯(lián)電在大陸子公司和艦進行投資，未來聯(lián)電將擁有廈門12寸廠6席董事，等于具有營運主導權(quán)。而該廠預計今年動土興建，2016年以55納米及40納米制程投產(chǎn)，規(guī)劃的最大月產(chǎn)能為5萬片，并同可爭取大陸集成電路產(chǎn)業(yè)基金的補助。 聯(lián)電廈門12寸廠聯(lián)芯集成電路昨3月26日在廈門火炬高新區(qū)舉行動工典禮。 中芯國際（北京 武漢） 中芯國際集成電路制造有限公司（簡稱“中芯國際”），是世界領(lǐng)先的積體電路晶圓代工企業(yè)之一，也是中國內(nèi)地規(guī)模最大、技術(shù)最先進的積體電路晶圓代工企業(yè)。中芯國際向全球客戶提供0.35微米到28納米晶圓代工與技術(shù)服務(wù)。中芯國際總部位於上海，在上海建有一座300mm晶圓廠和一座200mm超大規(guī)模晶圓廠；在北京建有一座300mm超大規(guī)模晶圓廠，一座控股的300mm先進制程晶圓廠正在開發(fā)中；在天津和深圳各建有一座200mm晶圓廠。中芯國際還在美國、歐洲、日本和臺灣地區(qū)設(shè)立行銷辦事處、提供客戶服務(wù)，同時在香港設(shè)立了代表處。 中芯國際集成電路制造北京有限公司于2002年7月25日注冊成立，是中芯國際的全資子公司，現(xiàn)有員工約1700人。其擁有我國第一條12英寸集成電路生產(chǎn)線。主要是邏輯芯片代工，目前的產(chǎn)能是月產(chǎn)五萬片。 中芯國際武漢12英寸晶圓的產(chǎn)能是月產(chǎn)6萬片，其主要生產(chǎn)編碼型快閃存儲器。 英特爾（大連） 英特爾公司（Intel Corporation）是世界上最大的半導體公司，也是第一家推出x86架構(gòu)處理器的公司，總部位于美國加利福尼亞州圣克拉拉。由羅伯特·諾伊斯、高登·摩爾、安迪·葛洛夫，以“集成電子”（Integrated Electronics）之名在1968年7月18日共同創(chuàng)辦公司，將高級芯片設(shè)計能力與領(lǐng)導業(yè)界的制造能力結(jié)合在一起。英特爾早期在開發(fā)SRAM與DRAM的存儲器芯片，在1990年代之前這些存儲器芯片是英特爾的主要業(yè)務(wù)。在1990年代時，英特爾做了相當大的投資在新的微處理器設(shè)計上與培養(yǎng)快速崛起的PC工業(yè)。 英特爾 1985 年在北京設(shè)立代表處。今天英特爾公司已經(jīng)成為在華最大的外國投資企業(yè)之一，員工人數(shù)超過 7，500 人。英特爾中國也是英特爾全球部署最全面的第二大機構(gòu)，包括了芯片制造、封裝測試，新技術(shù)研究、產(chǎn)品開發(fā)及營銷——英特爾大連芯片廠是英特爾亞洲首家晶圓制造廠，英特爾成都工廠是世界一流的芯片封裝測試廠，位于北京的英特爾中國研究院專注于前瞻性嵌入式系統(tǒng)研究，位于上海的英特爾亞太研發(fā)中心則是英特爾在中國的研發(fā)基地和創(chuàng)新中心。 英特爾大連芯片廠是英特爾半導體（大連）有限公司在大連市投資 25 億美元建設(shè)的先進半導體芯片制造廠，也是英特爾在亞洲設(shè)立的第一座芯片廠。工廠于 2007 年底開始建設(shè)，2009 年建成投入使用，2010 年 10 月正式投產(chǎn)。大連芯片廠的總建筑面積為 16.3 萬平米，其中潔凈廠房面積達 1.5 萬平方米，采用業(yè)界主流的 300 毫米硅晶圓和英特爾成熟的 65 納米制程工藝生產(chǎn)電腦芯片組產(chǎn)品。 英特爾大連的晶圓廠目前主要生產(chǎn)處理器，月產(chǎn)能是5.2萬片。 1978年，三星半導體從三星電子公司分立出來而成為獨立的實體，1983年起隨著成功發(fā)展了64KDRAM超大規(guī)模集成電路，從此在單一家電類半導體產(chǎn)品基礎(chǔ)上發(fā)展了許多新的半導體產(chǎn)品，逐漸成為全球領(lǐng)先的半導體廠商。它的半導體產(chǎn)品主要有DRAM、SRAM、閃速存儲器、ASIC、CPU和TFF-LCD板等等。 三星（西安） 三星半導體部門從2014年第3季開始，連2季取代了負責主力智能手機事業(yè)的IM（Information technology & Mobile Communications）部門，拿下三星獲利金雞母頭銜。 三星西安半導體于5月9日竣工，由此高端閃存芯片正式開始量產(chǎn)。西安半導體于2012年9月舉行開工奠基儀式，建筑工期約20個月，園區(qū)占地約114萬平方米，總建筑面積約23萬平方米，生產(chǎn)10納米級NAND 閃存芯片（V-NAND）。三星高端閃存芯片項目從2012年9月12日正式動工，僅僅用了20個月就完成了項目工程建設(shè)、設(shè)備安裝調(diào)試、工作人員入住等工作。 西安半導體目前的產(chǎn)能是月產(chǎn)10萬片。 SK海力士（無錫） 截至2014年，在SK海力士的總營收中，NAND Flash占比20%，其中SSD占比重約10%。SK海力士計劃2015年將NAND Flash營收中，SSD所占比重擴大到兩位數(shù)，提升NAND Flash的事業(yè)力量。2014年創(chuàng)下了公司成立以來，史上新高的營收、營利。 2015年，SK海力士決定采取選擇與集中策略，聚焦于20納米（nm）微細制程DRAM、三階儲存單元（Triple-Level Cell；TLC）的NAND Flash技術(shù)，以及固態(tài)硬盤（SSD）等優(yōu)勢領(lǐng)域。較弱勢的系統(tǒng)芯片方面，將集中發(fā)展CMOS影像感測器（CMOS Image Sensor；CIS）。 海力士無錫公司主要產(chǎn)品為12英寸集成電路晶圓，應用于PC，Server，Graphic，Mobile，Graphic等固態(tài)存儲器領(lǐng)域。SK海力士中國公司是無錫市惟一獲得國務(wù)院核準建設(shè)的工業(yè)項目，一期總投資為20億美元，二期投資15億美元，三期項目投資25.55億美元，四期項目投資20億美元，SK海力士項目是國內(nèi)半導體投資最大、技術(shù)最先進的項目也是江蘇省最大的外商投資單體項目。 SK海力士無錫廠于2013年9月4日遭火災沖擊，由于起火點在晶圓廠內(nèi)部，無錫廠全面停工長達一個月，單月全球DRAM供給量劇減10%。SK海力士無錫廠火災過后的10月與11月份投片為3萬片及7萬片左右。無錫廠滿載為13萬片。 SK海力士半導體公司（SK Hynix Semiconductor Inc.）是一家韓國的電子公司，全球二十大半導體廠商之一。海力士于1983年以現(xiàn)代電子產(chǎn)業(yè)有限公司的名字創(chuàng)立。在80及90年代 他們專注于銷售DRAM，后來是SDRAM。2001年他們以6億5000萬美元的價格出售TFT LCD業(yè)務(wù)，同年他們開發(fā)出世界第一顆128MB圖形DDR SDRAM。2012年初，韓國第三大財閥SK集團宣布收購海力士21.05%的股份從而入主這家內(nèi)存大廠。 |
