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HBM和先進封裝增加晶圓消耗, 預計硅片行業受益

發布時間:2024-7-3 09:53    發布者:eechina
關鍵詞: HBM , 先進封裝 , 晶圓
來源:EXPreview

隨著人工智能(AI)技術的快速發展,對芯片的需求急劇增加,推動了先進封裝和高帶寬存儲器(HBM)技術的不斷改進,從而進一步增加了晶圓的消耗量,預計將使硅片行業受益。

據Trendforce報道,環球晶圓(GlobalWafers)董事長兼首席執行官徐秀蘭表示,AI芯片所需要的HBM存儲芯片,比如HBM3或者即將到來的HBM4,需要在芯片上做堆疊,層數從12層增加到16層,而且下面還需要一層基礎芯片,預計會大大增加晶圓的消耗。

人工智能熱潮導致全球HBM嚴重短缺,存儲器制造商今年和明年的產能已經售罄,需要不斷加大資本投入,擴大HBM生產。有業內人士透露,與DDR5等相同容量和工藝的存儲芯片相比,HBM芯片的晶圓尺寸增加了35%到45%。與此同時,HBM芯片所需要的制造工藝更為復雜,良品率比起DDR5低了20%至30%,這意味著相同的晶圓面積上生產出的合格芯片會更少。以上兩個因素疊加,導致需要更多硅片來滿足HBM的生產需要。

此外,先進封裝也比以往需要更多的拋光晶圓,因為封裝已經變得立體,結構和工藝也發生了變化,一些封裝可能需要比以前多一倍的晶圓。隨著明年先進封裝產能的釋放,所需的晶圓數量會有更為明顯的增長。目前可以看到像臺積電(TSMC)的CoWoS封裝變得更加流行,處于供不應求的狀態已經很長一段時間了。

過去隨著先進半導體技術的發展和應用,芯片尺寸縮小,降低了晶圓的消耗。現在因為人工智能和3D封裝的推動、導致了晶圓使用量的增加,從而促進了硅片行業的發展。值得注意的是,在硅晶圓發展的同時,HBM和先進封裝技術對質量、平整度和純度提出了更高的要求。這也將促使硅片制造商做出相應的調整,以應對業界的發展趨勢。
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