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摘要 TMS320C6678 有8 個(gè)C66x核，典型速度是1GHz，每個(gè)核有 32KB L1D SRAM，32KB L1P SRAM和512KB LL2 SRAM;所有 DSP核共享4MB SL2 SRAM。一個(gè)64-bit 1333MTS DDR3 SDRAM接口可以支持8GB外部擴(kuò)展存儲器。 存儲器訪問性能對DSP上運(yùn)行的軟件是非常關(guān)鍵的。在C6678 DSP上，所有的主模塊，包括多個(gè)DSP核和多個(gè)DMA都可以訪問所有的存儲器。 每個(gè)DSP核每個(gè)時(shí)鐘周期都可以執(zhí)行最多128 bits的load或store操作。在1GHz的時(shí)鐘頻率下，DSP核訪問L1D SRAM的帶寬可以達(dá)到16GB/S。 DSP的內(nèi)部總線交換網(wǎng)絡(luò)，TeraNet，提供了C66x核(包括其本地存儲器)，外部存儲器，EDMA控制器，和片上外設(shè)之間的互連總共有10個(gè)EDMA傳輸控制器可以被配置起來同時(shí)執(zhí)行任意存儲器之間的數(shù)據(jù)傳輸。 本文為設(shè)計(jì)人員提供存儲器訪問性能評估的基本信息;提供各種操作條件下的性能測試數(shù)據(jù);還探討了影響存儲器訪問性能的一些因素。 1. 存儲器系統(tǒng)簡介 TMS320C6678有8個(gè)C66x核，每個(gè)核有: 32KB L1D(Level 1 Data) SRAM，它和DSP核運(yùn)行在相同的速度上，可以被用作普通的數(shù)據(jù)存儲器或數(shù)據(jù)cache。 32KB L1P(Level 1 Program) SRAM，它和DSP核運(yùn)行在相同的速度上，可以被用作普通的程序存儲器或程序cache。 512KB LL2(Local Level 2)SRAM，它的運(yùn)行速度是DSP核的一半，可以被用作普通存儲器或cache，既可以存放數(shù)據(jù)也可以存放程序。 所有DSP核共享4MB SL2(Shared Level 2)SRAM，它的運(yùn)行速度是DSP核的一半，既可以存放數(shù)據(jù)也可以存放程序。TMS320C6678集成一個(gè)64-bit 1333MTS DDR3 SDRAM接口，可以支持8GB外部擴(kuò)展存儲器，既可以存放數(shù)據(jù)也可以存放程序。它的總線寬度也可以被配置成32bits或16bits。 存儲器訪問性能對DSP上軟件運(yùn)行的效率是非常關(guān)鍵的。在C6678 DSP上，所有的主模塊，包括多個(gè)DSP核和多個(gè)DMA都可以訪問所有的存儲器。 每個(gè)DSP核每個(gè)時(shí)鐘周期都可以執(zhí)行最多128 bits 的load 或store操作。在1GHz的時(shí)鐘頻率下，DSP核訪問L1D SRAM 的帶寬可以達(dá)到16GB/S。當(dāng)訪問二級(L2)存儲器或外部存儲器時(shí)，訪問性能主要取決于訪問的方式和cache。 每個(gè)DSP核有一個(gè)內(nèi)部DMA (IDMA)，在1GHz的時(shí)鐘頻率下，它能支持高達(dá)8GB/秒的傳輸。但I(xiàn)DMA只能訪問L1和LL2以及配置寄存器，它不能訪問外部存儲器。 DSP的內(nèi)部總線交換網(wǎng)絡(luò)，TeraNet，提供了C66x核 (包括其本地存儲器) ，外部存儲器， EDMA控制器，和片上外設(shè)之間的互聯(lián)。總共有10個(gè)EDMA傳輸控制器可以被配置起來同時(shí)執(zhí)行任意存儲器之間的數(shù)據(jù)傳輸。芯片內(nèi)部有兩個(gè)主要的TeraNet模塊，一個(gè)用128 bit總線連接每個(gè)端點(diǎn)，速度是DSP 核頻率的1/3，理論上，在1GHz的器件上每個(gè)端口支持 5.333GB/秒的帶寬;另一個(gè)TeraNet內(nèi)部總線交換網(wǎng)絡(luò)用256 bit總線連接每個(gè)端點(diǎn)，速度是DSP核頻率的1/2，理論上，在1GHz的器件上每個(gè)端口支持16GB/秒的帶寬。 總共有10個(gè)EDMA傳輸控制器可以被配置起來同時(shí)執(zhí)行任意存儲器之間的數(shù)據(jù)傳輸。它們中的兩個(gè)連接到256-bit, 1/2 DSP核速度的 TeraNet內(nèi)部總線交換網(wǎng)絡(luò);另外8個(gè)連接到128-bit, 1/3 DSP核速度的TeraNet內(nèi)部總線交換網(wǎng)絡(luò)。 圖1展示了TMS320C6678的存儲器系統(tǒng)。總線上的數(shù)字代表它的寬度。大部分模塊運(yùn)行速度是DSP核時(shí)鐘的1/n，DDR的典型速度是1333MTS(Million Transfer per Second)。 圖1 TMS320C6678 存儲器系統(tǒng) 本文為設(shè)計(jì)人員提供存儲器訪問性能評估的基本信息;提供各種操作條件下的性能測試數(shù)據(jù);還探討了影響存儲器訪問性能的一些因素。 本文對分析以下常見問題會有所幫助： 1. 應(yīng)該用DSP核還是DMA來拷貝數(shù)據(jù)? 2. 一個(gè)頻繁訪問存儲器的函數(shù)會消耗多少時(shí)鐘周期? 3. 當(dāng)多個(gè)主模塊共享存儲器時(shí)，對某個(gè)模塊的性能會有多大的影響? 本文中的大部分?jǐn)?shù)據(jù)是在C6678 EVM(EValuation Module)板上測試得到的，它上面有64-bit 1333MTS的DDR 存儲器。 2. DSP核，EDMA3，IDMA拷貝數(shù)據(jù)的性能比較 數(shù)據(jù)拷貝的帶寬由下面三個(gè)因素中最差的一個(gè)決定： 1. 總線帶寬 2. 源端吞吐量 3. 目的端吞吐量 表1 總結(jié)了C6678 上C66x 核，IDMA 和EDMA 的理論帶寬。 表1 1GHz C6678上C66x核，IDMA和EDMA的理論帶寬 表2 總結(jié)了C6678 EVM(64-bit 1333MTS DDR)上各種存儲器端口的理論帶寬。 表2 1GHz C6678上各種存儲器端口的理論帶寬 表3 列出了在1GHz C6678 EVM(64-bit 1333MTS DDR)上，在不同情況下用EDMA，IDMA和DSP核做大塊連續(xù)數(shù)據(jù)拷貝測得的吞吐量。 在這些測試中，L1上的測試數(shù)據(jù)塊的大小是8KB;IDMA LL2->LL2 拷貝的數(shù)據(jù)塊的大小是32KB;其它DSP核拷貝測試的數(shù)據(jù)塊的大小是64KB，其它EDMA拷貝測試的數(shù)據(jù)塊大小是128KB。 吞吐量由拷貝的數(shù)據(jù)量除以消耗的時(shí)間得到。 表3 DSP核，EDMA和IDMA數(shù)據(jù)拷貝的吞吐量比較 總的來說，DSP核可以高效地訪問內(nèi)部存儲器，而用DSP 核訪問外部存儲器則不是有效利用資源的方式;IDMA非常適用于DSP核本地存儲器 (L1D，L1P，LL2) 內(nèi)連續(xù)數(shù)據(jù)塊的傳輸，但它不能訪問共享存儲器(SL2, DDR) ;而外部存儲器的訪問則應(yīng)盡量使用EDMA。 Cache配置顯著地影響DSP核的訪問性能，Prefetch buffer也能提高讀訪問的效率，但它們不影響EDMA和IDMA。這里所有DSP核的測試都是基于cold cache(cache 和Prefetch buffer在測試前被清空)。 對DSP核，SL2可以通過從0x0C000000開始的缺省地址空間被訪問，通常這個(gè)地址空間被設(shè)置為cacheable 而且prefetchable。SL2可以通過XMC(eXtended Memory Controller) 被重映射到其它存儲器空間，通常重映射空間被用作non-cacheable, nonprefetchable訪問(當(dāng)然它也可以被設(shè)置為cacheable 而且prefetchable)。通過缺省地址空間訪問比通過重映射空間訪問稍微快一點(diǎn)。 前面列出的EDMA 吞吐量數(shù)據(jù)是在EDMA CC0(Channel Controller 0) TC0(Transfer Controller 0)上測得的，EDMA CC1和EDMA CC2的吞吐量比EDMA CC0低一些，后面有專門的章節(jié)來比較10個(gè)EDMA傳輸控制器的差別。 3. DSP核訪問存儲器的時(shí)延 L1和DSP核的速度相同，所以DSP核每個(gè)時(shí)鐘周期可以訪問L1存儲器一次。對一些特殊應(yīng)用，需要非常快的訪問小塊數(shù)據(jù)，可以把L1的一部分配置成普通RAM(而不是cache)來存放數(shù)據(jù)。 通常，L1被全部配置成cache，如果cache訪問命中(hit)，DSP核可在一個(gè)周期完成訪問;如果cache訪問沒有命中(miss)，DSP核需要等待數(shù)據(jù)從下一級存儲器中被讀到cache中。 本節(jié)討論DSP核訪問內(nèi)部存儲器和外部DDR存儲器的時(shí)延。下面是時(shí)延測試的偽代碼: 3.1 DSP核訪問LL2的時(shí)延 圖2是在1GHz C6678 EVM上測得的DSP核訪問LL2的時(shí)延。DSP核執(zhí)行512個(gè)連續(xù)的LDDW(LoaD Double Word) 或STDW(STore Double Word) 指令所花的時(shí)間被測量，平均下來每個(gè)操作所花的時(shí)間被畫在圖中。這個(gè)測試使用了32KB L1D cache。 圖2 DSP核訪問LL2 對LDB/STB和LDW/STW的測試表明，它們的時(shí)延與LDDW/STDW相同。 由于L1D cache只有在讀操作時(shí)才會被分配，DSP核讀LL2總是通過L1D cache。所以，DSP核訪問LL2的性能高度依賴cache。多個(gè)訪問之間的地址偏移(stride)顯著地影響訪問效率，地址連續(xù)的訪問可以充分地利用cache;大于或等于64字節(jié)的地址偏移導(dǎo)致每次訪問都miss L1 cache因?yàn)長1D cache行大小是64 bytes。 由于L1D cache不會在寫操作時(shí)被分配，并且這里的測試之前cache都被清空了，所以任何對LL2的寫操作都通過L1D write buffer(4x16bytes)。對多個(gè)寫操作，如果地址偏移小于16bytes，這些操作可能在write buffer中被合并成一個(gè)對LL2的寫操作，從而獲得接近平均每個(gè)寫操作用1個(gè)時(shí)鐘周期的效率。 當(dāng)多個(gè)寫操作之間的偏移是128bytes整數(shù)倍時(shí)，每個(gè)寫操作都訪問LL2的相同sub-bank(LL2包含兩個(gè)banks，每個(gè)bank包含4個(gè)總線寬度為16-byte的sub-bank)，對相同sub-bank的連續(xù)訪問的時(shí)延是4個(gè)時(shí)鐘周期。對其它的訪問偏移量，連續(xù)的寫操作會訪問LL2不同的bank，這樣的多個(gè)訪問的在流水線上可以被重疊起來，從而使平均的訪問時(shí)延比較小。 C66x核在C64x+核的基礎(chǔ)上有很多改進(jìn)，C66x核的L2存儲器控制器和DSP核速度相同，而C64x+的L2存儲器控制器的運(yùn)行速度是DSP核速度的1/2。圖3比較了C66x和C64x+Load/Store LL2存儲器的性能 圖3 C66x和C64x+核在LL2上Load/Store的時(shí)延比較 3.2 DSP核訪問SL2的時(shí)延 圖4 是在1GHz C6678 EVM上測得的DSP核訪問SL2的時(shí)延。DSP核執(zhí)行512個(gè)連續(xù)的LDDW(LoaD Double Word) 或STDW(STore Double Word)指令所花的時(shí)間被測量，平均下來每個(gè)操作所花的時(shí)間被畫在圖中。測試中，L1D被配置成32KB cache。 圖4 DSP核訪問SL2 對LDB/STB和LDW/STW的測試表明，它們的時(shí)延LDDW/STDW相同。 DSP核讀SL2通常會通過L1D cache，所以，和訪問LL2一樣，DSP核訪問SL2的性能高度依賴cache。 XMC中還有一個(gè)prefetch buffer(8x128bytes)，它可以被看作是一個(gè)額外的只對讀操作可用的cache。DSP核之外的每16-MB存儲器塊都可以通過MAR(Memory Attribute Register)的PFX(PreFetchable eXternally)bit 被配置為是否通過prefetch buffer讀，使能它會對多個(gè)主模塊共享存儲器的效率有很大幫助;它也能顯著地改善對SL2連續(xù)讀的性能。不過，prefetch buffer對寫操作沒有任何作用。 SL2可以通過從0x0C000000開始的缺省的地址空間訪問，這個(gè)空間總是cacheable，通常它也被配置為prefetchable。SL2可以通過XMC的配置被重映射到其它地址空間，通常重映射空間被用作non-cacheable, nonprefetchable 訪問(當(dāng)然它也可以被設(shè)置為cacheable而且prefetchable)。通過缺省地址空間訪問比通過重映射空間訪問稍微快一點(diǎn)，因?yàn)榈刂分赜成湫枰粋�(gè)額外的時(shí)鐘周期。 由于L1D cache不會在寫操作時(shí)被分配，并且這里的測試之前cache都被清空了，所以任何對SL2的寫操作都通過L1D write buffer(4x16bytes)。對多個(gè)寫操作，如果地址偏移小于16bytes，這些操作可能在write buffer中被合并成一個(gè)對SL2的寫操作，從而獲得比較高的效率。XMC也有類似的寫合并buffer，它可以合并兩個(gè)在32 bytes內(nèi)的寫操作，所以，對偏移小于32bytes的寫操作，XMC的寫buffer改善了寫操作的性能。 當(dāng)寫偏移是N*256 bytes時(shí)，每個(gè)寫操作總是訪問SL2相同的bank(SL2存儲器組織結(jié)構(gòu)是4 bankx2sub-bankx 32 bytes)，對相同bank的連續(xù)訪問間隔是4個(gè)時(shí)鐘周期。對其它的訪問偏移量，連續(xù)的寫操作會訪問SL2不同的bank，這樣的多個(gè)訪問的在流水線上可以被重疊起來，從而使平均的訪問時(shí)延比較小。 圖5 比較了DSP核訪問SL2和LL2的訪問時(shí)延。對地址偏移小于16bytes的連續(xù)訪問，訪問SL2的性能和LL2幾乎相同。而對地址偏移比較大的連續(xù)訪問，訪問SL2的性能比LL2差。因此，SL2最適合于存放代碼。 圖5 DSP核訪問SL2和LL2的性能比較 3.3 DSP核訪問外部DDR存儲器的時(shí)延 DSP核訪問外部DDR存儲器高度依賴cache。當(dāng)DSP核訪問外部存儲器時(shí)，一個(gè)傳輸請求會被發(fā)給XMC。根據(jù)cacheable和prefetchable的設(shè)置，傳輸請求可能是下列情況中的一種: 一個(gè)數(shù)據(jù)單元–如果存儲器空間是non-cacheable，nonprefetchable 一個(gè)L1 cache line-如果存儲器空間是cacheable而沒有L2 cache， 一個(gè)L2 cache line-如果存儲器空間是cacheable并且設(shè)置了L2 cache。 如果要訪問的數(shù)據(jù)在L1/L2 cache或prefetch buffer中，則不會有傳輸請求發(fā)出。 如果被訪問的空間是prefetchable的，可能還會產(chǎn)生額外的prefetch請求。 外部存儲器的內(nèi)容可以被緩存在L1 cache或/和L2 cache，或者都不用。DSP核之外的每16-MB存儲器塊都可以通過MAR(Memory Attribute Register)的PC(Permit Copy)bit被配置為是否通過cache訪問。如果PC比特為0，這段空間就不是cacheable的。如果PC比特是1而L2 cache大小為0(所有LL2都被用作普通SRAM)，那外部存儲器的內(nèi)容只會被L1 cache緩存。如果PC比特是1并且L2 cache大于0，則外部存儲器的內(nèi)容可以被L1和L2 cache同時(shí)緩存。 像訪問SL2一樣，對外部存儲器的讀操作也可以利用XMC里的prefetch buffer。它可以通過MAR(Memory Attribute Register)的PFX(PreFetchable eXternally)bit來配置。 多個(gè)訪問之間的地址偏移(stride)顯著地影響訪問效率，地址連續(xù)的訪問可以充分地利用cache和prefetch buffer;大于或等于64字節(jié)的地址偏移導(dǎo)致每次訪問都miss L1 cache因?yàn)長1D cache行大小是64 bytes;大于或等于128字節(jié)的地址偏移導(dǎo)致每次訪問都miss L2 cache因?yàn)長2 cache行大小是128 bytes。 如果發(fā)生cache miss，DSP需要等待外部數(shù)據(jù)傳輸完成。等待的時(shí)間是請求發(fā)出時(shí)間，數(shù)據(jù)傳輸時(shí)間或數(shù)據(jù)返回時(shí)間的總和。 圖6是在1GHz C6678 EVM(64-bit 1333MTS DDR)上測得的DSP核訪問DDR的時(shí)延。DSP核執(zhí)行512個(gè)連續(xù)的LDDW(LoaD Double Word)或STDW(STore Double Word)指令所花的時(shí)間被測量，平均下來每個(gè)操作所花的時(shí)間被畫在圖中。測試中，L1D被配置成32KB cache，LL2的256KB被設(shè)置為cache。 對LDB/STB和LDW/STW的測試表明，它們的時(shí)延與LDDW/STDW相同。 注意，下面第二和第三個(gè)圖實(shí)際上是第一個(gè)圖左邊的放大。 圖6 DSP核對DDR Load/Store的時(shí)延 對地址偏移小于128 bytes的訪問，性能主要受cache的影響。 L2 cache會在寫操作時(shí)被分配，對任何寫操作，cache控制器總是先把被訪問的數(shù)據(jù)所在的cache行(128 bytes)讀進(jìn)L2 cache，然后在cache中改寫數(shù)據(jù)。被改寫是數(shù)據(jù)會在發(fā)生cache沖突或手工cache回寫操作時(shí)被最終寫到外部存儲里。當(dāng)寫操作的地址偏移是1024 bytes的整數(shù)倍時(shí)，多個(gè)訪問在L2 cache中發(fā)生沖突的概率很大，所以L2 cacheable寫操作的時(shí)延會顯著地增加。最壞的情況下，每個(gè)寫操作都會導(dǎo)致一個(gè)cache行的回寫 (之前的數(shù)據(jù)因?yàn)闆_突而被替換/回寫)和一個(gè)cache行的讀入(新的數(shù)據(jù)被分配到cache中)。 當(dāng)?shù)刂菲拼笥?12bytes時(shí)，DDR頁(行)切換開銷成為性能下降的主要因素。C6678 EVM上的DDR頁(行)大小或bank寬度是8KB，而DDR3存儲器包含8個(gè)banks。最壞的情況是，當(dāng)訪問地址偏移量是64KB時(shí)，每個(gè)讀或?qū)懖僮鞫紩L問相同bank中一個(gè)新的行，而這種行切換會增加大約40個(gè)時(shí)鐘周期的時(shí)延。請注意，不同的DDR存儲器的時(shí)延可能會不一樣。 |
