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據(jù)稱是業(yè)界首款采用MICRO FOOT芯片級(jí)封裝的TrenchFET功率MOSFET Si8422DB具有背面絕緣的特點(diǎn)。Si8422DB針對(duì)手機(jī)、PDA、數(shù)碼相機(jī)、MP3播放器及智能電話等便攜設(shè)備中的功率放大器、電池和負(fù)載切換進(jìn)行了優(yōu)化。該器件2-mil背面涂層可實(shí)現(xiàn)對(duì)MICRO FOOT封裝的頂部絕緣，以防與便攜器件中移動(dòng)部件暫時(shí)接觸而產(chǎn)生的電路短路。 此絕緣設(shè)計(jì)令該器件可用于具有非常嚴(yán)格的高度要求的應(yīng)用，從而設(shè)計(jì)人員可靈活放置MOSFET，屏蔽、按鈕或觸摸屏等其他零部件可直接放置在MOSFET的上方，這在壓低上述部件空間時(shí)將進(jìn)一步壓縮產(chǎn)品的高度。此設(shè)計(jì)靈活性還可減少寄生效應(yīng)，由于無(wú)需路由至PCB上的區(qū)域及更少的高度限制，電路布局可更好地優(yōu)化。 20V n通道Si8422DB具有1.55mm×1.55mm的超小尺寸及0.64mm的超薄厚度。該器件提供了1.8V VGS時(shí)0.043Ω至4.5V VGS時(shí)0.037Ω的低導(dǎo)通電阻范圍，且最大柵源電壓為±8 V。 目前，新型Si8422DB可提供樣品，并已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，大宗訂單的供貨周期為10至12周。 |
