注重成本的DC-DC應用MOSFET芯片組IRF6708S2和IRF6728M（IR）

發布時間：2010-12-14 14:52 發布者：嵌入式公社

關鍵詞： DirectFET , IRF6708S2 , IRF6728M , MOSFET

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 推出了IRF6708S2和IRF6728M 30V DirectFET MOSFET芯片組，特別為注重成本的19V輸入同步降壓應用 (如筆記本電腦) 而設計。

IRF6708S2小罐和IRF6728M中罐器件可減少元件數量達30%，大幅降低了整體系統成本。這些新款DirectFET MOSFET具有低電荷和低導通電阻 (RDS(on)) ，最大限度減少了傳導及開關損耗。IRF6728M還備有單片型集成式蕭特基二極管 (Schottky) ，可以降低與體二極管導通和反向恢復相關的損耗。

IRF6708S2和IRF6728M采用了IR最新一代的30V MOSFET硅技術。這些新器件除了擁有低導通電阻和低電荷，也具有DirectFET封裝低寄生電阻電感和卓越的散熱性能。

產品規格

器件編號	BVDSS (V)	10V下的典型RDS(on) (m)	4.5V下的典型RDS(on) (m)	VGS (V)	4.5V下的典型QG (nC)	4.5V下的典型QGD (nC)
IRF6728M	30	1.8	2.8	+/-20	28	8.7
IRF6708S2	30	7.5	12.0	+/-20	6.6	2.2

產品詳細數據及應用說明可瀏覽IR網頁www.irf.com。

新器件符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) ，現已接受批量訂單。

本文地址：http://www.qingdxww.cn/thread-46639-1-1.html 【打印本頁】

本站部分文章為轉載或網友發布，目的在于傳遞和分享信息，并不代表本網贊同其觀點和對其真實性負責；文章版權歸原作者及原出處所有，如涉及作品內容、版權和其它問題，我們將根據著作權人的要求，第一時間更正或刪除。