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Flash(快閃或閃存)由Intel公司于1988年首先推出的是一種可用電快速擦除和編程的非易失性存儲(chǔ)器，其快速是相對于EEPROM而言的。Flash從芯片工藝上分為Nor Flash和Nand Flash兩大類。 Nor Flash Nor Flash的特點(diǎn)是芯片內(nèi)執(zhí)行(XIP )，應(yīng)用程序可以直接在內(nèi)存Flash內(nèi)運(yùn)行，不必再把代碼讀到系統(tǒng)RAM中。Nor Flash的傳輸效率很高，在1~4MB的小容量時(shí)具有很高的成本效益。 Nand Flash Nand Flash的結(jié)構(gòu)能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲(chǔ)密度，并且寫入和擦除的速度很快;然而其管理和控制比較復(fù)雜。 非易失性存儲(chǔ)器–Nor Flash Nor Flash根據(jù)數(shù)據(jù)傳輸?shù)奈粩?shù)可以分為并行和串行，并行Nor Flash每次傳輸多個(gè)bit位的數(shù)據(jù);而串行Nor Flash每次傳輸一個(gè)bit位的數(shù)據(jù)。并行Nor Flash比串行Nor Flash具有更快的傳輸速度。 串行Nor Flash 主要接口有SPI、Dual SPl、Quad SPI模式。 并行Nor Flash 主要接口有8位、16位、8位/16位可選的數(shù)據(jù)傳輸方式。 非易失性存儲(chǔ)器-Nor Flash特點(diǎn) 特點(diǎn):Nor Flash是非易失存儲(chǔ),一般用于程序代碼存儲(chǔ) 主推容量256Kb-512Mb 串行:MCU帶SPI口、IO口比較少、成本低、體積小、速度不高,應(yīng)用十分廣泛。 并行:MCU需帶外部總線,速度快,內(nèi)部無FLASH等 用在AMR9、ARM11、A7、A8、A9等高端平臺(tái)上 非易失性存儲(chǔ)器-Nand Flash特點(diǎn) 特點(diǎn):容量大，寫速度快等優(yōu)點(diǎn)適用于大數(shù)據(jù)的存儲(chǔ) 主推容量512Mb-8Gb 并行:MUC帶外部存儲(chǔ)控制器、數(shù)據(jù)量大、速度快 用在AMR9、ARM11、A7、A8、A9等高端MCU上;跑WinCE/Linux/Android等操作系統(tǒng) 串行:MCU帶SPI口、IO口比較少、成本低、體積小 Flash的應(yīng)用 Nor Flash與Nand Flash的區(qū)別 NOR 1.讀速度快，寫速度慢 2擦除速度慢 3.擦除次數(shù)約10萬次 4.容量小256Kb-512Mb 5.單位容量價(jià)格高，適用于小容量程序存儲(chǔ) 6.不易產(chǎn)生壞塊 NAND 1.讀速度慢，寫速度快 2.擦除速度快（( 1000:1) 3.擦除次數(shù)約100萬次 4.容量大512Mb-8Gb 5.單位容量價(jià)格低，適用于大容量數(shù)據(jù)存儲(chǔ) 6.較易產(chǎn)生壞塊，需ECC校驗(yàn) |
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非易失性存儲(chǔ)器-Nor Flash特點(diǎn) 特點(diǎn):Nor Flash是非易失存儲(chǔ),一般用于程序代碼存儲(chǔ) 主推容量256Kb-512Mb 串行:MCU帶SPI口、IO口比較少、成本低、體積小、速度不高,應(yīng)用十分廣泛。 并行:MCU需帶外部總線,速度快,內(nèi)部無FLASH等 用在AMR9、ARM11、A7、A8、A9等高端平臺(tái)上 |
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易失性存儲(chǔ)器-Nand Flash特點(diǎn) 特點(diǎn):容量大，寫速度快等優(yōu)點(diǎn)適用于大數(shù)據(jù)的存儲(chǔ) 主推容量512Mb-8Gb 并行:MUC帶外部存儲(chǔ)控制器、數(shù)據(jù)量大、速度快 用在AMR9、ARM11、A7、A8、A9等高端MCU上;跑WinCE/Linux/Android等操作系統(tǒng) 串行:MCU帶SPI口、IO口比較少、成本低、體積小 |
