2月21日，存儲(chǔ)技術(shù)領(lǐng)域的兩大巨頭——鎧俠（Kioxia）與閃迪（SanDisk）在國(guó)際固態(tài)電路會(huì)議（ISSCC 2025）上攜手發(fā)布了一項(xiàng)重大技術(shù)突破：第十代BiCS FLASH閃存技術(shù)。這一創(chuàng)新技術(shù)的發(fā)布，標(biāo)志著存儲(chǔ)行業(yè)在速度、功耗及存儲(chǔ)密度方面邁入了全新的發(fā)展階段。
據(jù)悉，第十代BiCS FLASH閃存技術(shù)采用了先進(jìn)的CMOS直接鍵合到陣列（CBA）技術(shù)，將每個(gè)CMOS晶圓和單元陣列晶圓單獨(dú)制造后粘合在一起。這一技術(shù)的運(yùn)用，使得閃存芯片在結(jié)構(gòu)上更加緊湊，性能更加卓越。同時(shí)，鎧俠與閃迪還引入了最新的Toggle DDR6.0接口標(biāo)準(zhǔn)和SCA協(xié)議，將NAND I/O接口速度從上一代的3.6Gbps提升至4.8Gbps，實(shí)現(xiàn)了33%的性能提升。 除了速度上的顯著提升，第十代BiCS FLASH閃存技術(shù)在功耗控制方面也取得了顯著成果。通過(guò)引入PI-LTT（電源隔離低抽頭終端）技術(shù)，該技術(shù)在數(shù)據(jù)輸入/輸出過(guò)程中實(shí)現(xiàn)了顯著的功耗降低，其中輸入功耗減少了10%，輸出功耗更是降低了34%。這一功耗性能的提升，不僅有助于延長(zhǎng)設(shè)備的續(xù)航時(shí)間，還降低了對(duì)環(huán)境的負(fù)擔(dān)，體現(xiàn)了鎧俠與閃迪在環(huán)保方面的積極貢獻(xiàn)。 在存儲(chǔ)密度方面，第十代BiCS FLASH閃存技術(shù)同樣表現(xiàn)出色。通過(guò)增加閃存層數(shù)至332層，并優(yōu)化晶圓平面布局，該技術(shù)使得位密度相較于前代產(chǎn)品提升了59%。這一提升不僅滿足了用戶對(duì)更大存儲(chǔ)容量的需求，還為未來(lái)更多數(shù)據(jù)密集型應(yīng)用的開(kāi)展提供了基礎(chǔ)保障。 鎧俠與閃迪的首席技術(shù)官在發(fā)布會(huì)上表示，隨著人工智能技術(shù)的普及和大數(shù)據(jù)時(shí)代的到來(lái)，存儲(chǔ)設(shè)備的速度與效率成為企業(yè)選擇技術(shù)架構(gòu)時(shí)的一項(xiàng)關(guān)鍵指標(biāo)。第十代BiCS FLASH閃存技術(shù)的推出，正是對(duì)市場(chǎng)需求的積極回應(yīng)，它將為用戶提供更加高效、可靠的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)解決方案。 |
