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今日，SK海力士宣布成功量產(chǎn)全球首款321層1Tb（太比特，Terabit）TLC（Triple Level Cell）4D NAND閃存，這一創(chuàng)新標(biāo)志著NAND閃存技術(shù)邁入了一個全新的高度。 SK海力士表示，此次量產(chǎn)的321層NAND閃存不僅突破了技術(shù)界限，還率先實現(xiàn)了超過300層的NAND閃存量產(chǎn)。與前一代的238層NAND閃存相比，這款新型閃存在數(shù)據(jù)傳輸速度和讀取性能上分別提升了12%和13%，同時在能效方面也提高了10%以上。這一顯著的性能提升，無疑將為數(shù)據(jù)中心、智能手機(jī)、個人電腦等設(shè)備提供更強(qiáng)大、更高效的存儲支持。 
在開發(fā)過程中，SK海力士采用了高效的“3-Plug”工藝技術(shù)，該工藝涉及三次通孔工藝流程的優(yōu)化，確保了多個通孔之間的電氣連接得以有效實施。通過引入低變形材料和通孔間的自動排列矯正技術(shù)，SK海力士克服了堆疊技術(shù)中的諸多挑戰(zhàn)，成功實現(xiàn)了更為緊湊和穩(wěn)定的堆疊結(jié)構(gòu)。這不僅提升了閃存的性能穩(wěn)定性，還有效減少了制造過程中的誤差，提高了產(chǎn)品的可靠性。 此外，SK海力士在開發(fā)過程中沿用了與238層NAND閃存相同的開發(fā)平臺，最大限度地減少了工藝切換的影響，并將生產(chǎn)效率提高了59%。這一生產(chǎn)效率的提升，使得SK海力士能夠以更具競爭力的價格提供高性能的存儲產(chǎn)品，進(jìn)一步鞏固了其在存儲器產(chǎn)業(yè)鏈中的地位。 SK海力士計劃從2025年上半年起向客戶提供321層NAND閃存產(chǎn)品，以滿足市場對高性能存儲的不斷增長的需求。隨著數(shù)據(jù)量的不斷增加，傳統(tǒng)的存儲解決方案往往難以滿足用戶的需求。而321層NAND閃存的高性能特性，無疑將為各種應(yīng)用場景提供更快、更高效的解決方案。無論是在高性能游戲、高清視頻播放，還是在日常多任務(wù)操作中，其出色的速度和穩(wěn)定性都能極大提升用戶體驗。 SK海力士NAND開發(fā)負(fù)責(zé)人表示：“最新的發(fā)展，使公司離以AI數(shù)據(jù)中心和設(shè)備端AI的SSD為代表的AI存儲市場的領(lǐng)導(dǎo)地位又近了一步。”這一技術(shù)突破不僅將推動SK海力士在AI存儲市場的競爭力，也將對整個存儲行業(yè)產(chǎn)生深遠(yuǎn)的影響。 |
