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來源：IT之家 7月24日消息，半導(dǎo)體材料是一種導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體和絕緣體之間、可用來制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料，例如硼、金剛石、鍺、硅、灰錫、銻、硒、碲等，或者 SiC 這種合成材料。 現(xiàn)階段，人類文明現(xiàn)代科技便是建立在以硅為代表的這類半導(dǎo)體材料之上的成果，從太陽能電池到芯片都離不開它，但因?qū)岷推渌蚬枰沧⒍藷o法成為最理想的半導(dǎo)體材料。 7月22日，來自美國麻省理工學(xué)院、休斯頓大學(xué)和其它機(jī)構(gòu)的科研團(tuán)隊發(fā)現(xiàn)了一種名為“立方砷化硼”的材料突破了這兩個限制，它既能為電子和空穴提供高遷移率，又有優(yōu)良的導(dǎo)電率，而且還具有極高的導(dǎo)熱特性。 科學(xué)家表示，這是迄今為止發(fā)現(xiàn)的最好的半導(dǎo)體材料，或許放眼未來也會是最好的那個。相關(guān)成果已經(jīng)發(fā)表在近期的《科學(xué)》雜志上，作者欄中包括多位華人，例如麻省理工學(xué)院機(jī)械工程教授陳剛、中科院任志峰（休斯敦大學(xué)）等。 當(dāng)然，到目前為止，立方砷化硼還只能在實驗室小規(guī)模量產(chǎn)和測試，而且不均勻。我們還需要做更多的工作來確定立方砷化硼是否能以一種實用、經(jīng)濟(jì)的形式制造出來，目前來看要想取代地球上無處不在的硅還有很長一段路要走。但研究人員說，即使在不久的將來，這種材料也可能找到一些用途，使其獨特的特性產(chǎn)生重大影響。 此次的科研成果涉及到麻省理工學(xué)院、休斯頓大學(xué)、得克薩斯大學(xué)奧斯汀分校和波士頓學(xué)院的其他14所大學(xué)。包括這篇新論文的合著者大衛(wèi)・布羅伊多 (David Broido) 在內(nèi)的早期研究，從理論上預(yù)測這種材料將具有較高的熱導(dǎo)率，并在隨后的工作中證實了這一預(yù)測。 IT之家了解到，這項工作通過實驗證實了陳剛團(tuán)隊在 2018 年提出的一個預(yù)測并完成分析：立方砷化硼對電子和空穴也有很高的遷移率，“這使這種材料真正變得獨特，”他表示。 他們還表明，這種材料有一個非常好的帶隙（能系，泛指半導(dǎo)體或絕緣體的價帶頂端至傳導(dǎo)帶底端的能量差距），這一特性賦予了它作為半導(dǎo)體材料的巨大潛力。 這項新工作證實，砷化硼具有高電子和空穴遷移率，具有理想半導(dǎo)體所需的所有主要品質(zhì)。“這很重要，因為當(dāng)然在半導(dǎo)體中，我們同時有正電荷和負(fù)電荷。所以，如果你要制造一個芯片，你需要一種電子和空穴阻力都較小的材料，”陳剛表示。 據(jù)介紹，目前普遍使用的硅具有良好的電子遷移率，但空穴遷移率較差，而其他材料（如廣泛用于激光器的砷化鎵）同樣具有良好的電子遷移率，但對空穴不具有良好的遷移率。 “熱量現(xiàn)在是許多電子產(chǎn)品的主要瓶頸，”該論文的主要作者 Shin 稱，“碳化硅正在取得包括特斯拉在內(nèi)的主要電動汽車行業(yè)的青睞，因為盡管它電遷移率較低，但其導(dǎo)熱率是硅的三倍。想象一下砷化硼可以達(dá)到什么效果，其導(dǎo)熱率和遷移率比硅高 10 倍。這足以改變游戲規(guī)則。” Shin 補(bǔ)充道，立方砷化硼的電子特性最初是根據(jù)陳剛團(tuán)隊所做的量子力學(xué)密度函數(shù)計算來預(yù)測的，現(xiàn)在這些預(yù)測已經(jīng)通過在 MIT 進(jìn)行的實驗得到驗證，該實驗使用了光學(xué)檢測方法對他們和休斯頓大學(xué)團(tuán)隊成員制作的樣品進(jìn)行檢測。 研究人員說，這種材料的熱導(dǎo)率不僅是所有半導(dǎo)體中最好的，而且甚至可以在所有材料熱導(dǎo)率中排到第三 —— 僅次于金剛石和富含同位素的立方氮化硼。“現(xiàn)在，我們也從第一原理預(yù)測了電子和空穴的量子力學(xué)行為，這也被證明是正確的”。 “這令人印象深刻，因為除了石墨烯之外，我實際上不知道有任何其他材料具有所有這些特性，”他說。“這是一種具有這些特性的散裝材料。” 當(dāng)然，陳剛也強(qiáng)調(diào)，雖然它的熱性能和電性能都已被證明非常出色，但這種材料的許多其他性能還有待測試，例如其長期穩(wěn)定性。 他補(bǔ)充說，“這可能非常重要，人們甚至沒有真正關(guān)注過這種材料。” 現(xiàn)在，砷化硼的理想特性已經(jīng)變得更加清晰，這表明該材料“在許多方面都是最好的半導(dǎo)體”。 |
