|
產品概述 IMBF170R1K0M1 1700V, 1000 mΩ SiC MOSFET采用TO-263-7增大爬電距離，針對反激式拓撲結構進行了優化，適用于眾多電力應用場合下接入直流母線電壓600 V至1000 V的輔助電源。 
參數：IMBF170R1K0M1XTMA1 （IMBF170R1K0M1） FET 類型：N 通道 技術：SiCFET（碳化硅） 漏源電壓（Vdss）：1700 V 25°C 時電流 - 連續漏極 (Id)：5.2A（Tc） 驅動電壓（最大 Rds On，最小 Rds On）：12V，15V 不同 Id、Vgs 時導通電阻（最大值）：1000毫歐 @ 1A，15V 不同 Id 時 Vgs(th)（最大值）：5.7V @ 1.1mA 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（最大值）：5 nC @ 12 V Vgs（最大值）：+20V，-10V 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（最大值）：275 pF @ 1000 V FET 功能：- 功率耗散（最大值）：68W（Tc） 工作溫度：-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型：表面貼裝型 供應商器件封裝：PG-TO263-7-13 封裝/外殼：TO-263-8，D2Pak（7 引線+接片），TO-263CA 基本產品編號：IMBF170 產品特點 革命性的半導體材料——碳化硅 優化用于反激式拓撲結構 12V/0V柵極-源極電壓，兼容大多數反激式控制器 非常低的切換損失 基準柵極閾值電壓，VGS(th)=4.5V 完全可控制的dV/dt，用于EMI優化 降低系統復雜性 直接從反激式控制器驅動 提高效率和降低冷卻工作量 實現更高頻率 應用領域 儲能系統 電動汽車快速充電 電源 工業電機驅動和控制 太陽能系統解決方案 （供求）工業輔助電源IMBF170R1K0M1(IMBF170R1K0M1XTMA1) 深圳市明佳達電子有限公司/深圳市星際金華實業有限公司 注：本文部分內容與圖片來源于網絡，版權歸原作者所有。如有侵權，請聯系刪除！ |
