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通過(guò)100X100mm超大視場(chǎng)曝光 實(shí)現(xiàn)大型高密度布線封裝的量產(chǎn) 佳能將于2023年1月上旬發(fā)售面向后道工藝的半導(dǎo)體光刻機(jī)新產(chǎn)品——i線※1步進(jìn)式光刻機(jī)“FPA-5520iV LF2 Option”。該產(chǎn)品通過(guò)0.8μm（微米※2）的高解像力和拼接曝光技術(shù)，使100×100mm的超大視場(chǎng)曝光成為可能，進(jìn)一步推動(dòng)3D封裝技術(shù)的發(fā)展。 
為了提高半導(dǎo)體芯片的性能，不僅在半導(dǎo)體制造的前道工藝中實(shí)現(xiàn)電路的微細(xì)化十分重要，在后道工藝的高密度封裝也備受關(guān)注，而實(shí)現(xiàn)高密度的先進(jìn)封裝則對(duì)精細(xì)布線提出了更高要求。同時(shí)，近年來(lái)半導(dǎo)體光刻機(jī)得到廣泛應(yīng)用，這一背景下，半導(dǎo)體器件性能的提升，需要通過(guò)將多個(gè)半導(dǎo)體芯片緊密相連的2.5D技術(shù)※3及半導(dǎo)體芯片層疊的3D※4技術(shù)來(lái)實(shí)現(xiàn)。 新產(chǎn)品是通過(guò)0.8μm的高解像力和曝光失真較小的4個(gè)shot拼接曝光，使100×100mm的超大視場(chǎng)曝光成為可能，從而實(shí)現(xiàn)2.5D和3D技術(shù)相結(jié)合的超大型高密度布線封裝的量產(chǎn)。 1. 通過(guò)新投射光學(xué)系統(tǒng)以及照明光學(xué)系統(tǒng)的提升，能夠達(dá)到0.8μm的高解像力與拼接曝光，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)超大視場(chǎng)曝光 與以往機(jī)型“FPA-5520iV LF Option”（2021年4月發(fā)售）相比，本次發(fā)售的新產(chǎn)品能夠?qū)⑾癫钜种浦了姆种灰韵隆Ｐ庐a(chǎn)品搭載全新的投射光學(xué)系統(tǒng)、采用照度均一性更佳的照明光學(xué)系統(tǒng)，以及0.8μm的解像力和拼接曝光技術(shù)，能夠在前一代產(chǎn)品52x68mm大視場(chǎng)的基礎(chǔ)上，實(shí)現(xiàn)向100×100mm超大視場(chǎng)的提升。 2. 繼承“FPA-5520iV”的基本性能 新產(chǎn)品同時(shí)也繼承了半導(dǎo)體光刻機(jī)“FPA-5520iV”的多項(xiàng)基本性能。例如可以靈活應(yīng)對(duì)再構(gòu)成基板※5翹曲等在封裝工藝中對(duì)量產(chǎn)造成阻礙的問(wèn)題，以及在芯片排列偏差較大的再構(gòu)成基板上測(cè)出Alignment mark，從而提高生產(chǎn)效率。 在面向半導(dǎo)體芯片制造的前道工藝和后道工藝中，佳能在不斷擴(kuò)充搭載先進(jìn)封裝技術(shù)的半導(dǎo)體光刻機(jī)產(chǎn)品陣營(yíng)，持續(xù)為半導(dǎo)體設(shè)備的技術(shù)創(chuàng)新做出貢獻(xiàn)。 ※1. 使用了i線（水銀燈波長(zhǎng) 365nm）光源的半導(dǎo)體光刻設(shè)備。1nm（納米）是10億分之1米 ※2. 1μm（微米）是100萬(wàn)分之1米（＝1000分之1mm）。 ※3. 在封裝基板上設(shè)置硅中介層（對(duì)半導(dǎo)體芯片與封裝基板之間進(jìn)行電極連接的中介組件），進(jìn)而排列多個(gè)半導(dǎo)體芯片然后緊密相連的技術(shù)。 ※4. 通過(guò)TSV技術(shù)（硅通孔電極技術(shù)。為了實(shí)現(xiàn)高度集成化，將硅正反面進(jìn)行通孔貫穿的技術(shù)）而實(shí)現(xiàn)層疊的技術(shù)。 ※5. 從半導(dǎo)體光刻機(jī)前道工藝中制造的晶圓中取出多個(gè)半導(dǎo)體芯片原件并排列，用樹(shù)脂固定成晶圓形狀的基板。 〈新產(chǎn)品特征〉 1.通過(guò)新投射光學(xué)系統(tǒng)和照明光學(xué)系統(tǒng)的提升，實(shí)現(xiàn)0.8μm的高解像力和拼接曝光超大視場(chǎng) 為了減少投射光學(xué)系統(tǒng)的像差，新產(chǎn)品首次將應(yīng)用于前道工藝光刻機(jī)的校正非球面玻璃搭載在后道工藝的光刻機(jī)上。與以往機(jī)型“FPA-5520iV LF Option”相比，新產(chǎn)品的像差可控制至四分之一以下，更平順地實(shí)現(xiàn)shot間的拼接。 新產(chǎn)品對(duì)均質(zhì)器進(jìn)行了改良，能夠提升照明光學(xué)系統(tǒng)的照度均一性，實(shí)現(xiàn)52×68 mm大視場(chǎng)中0.8μm的解像力。同時(shí)，新產(chǎn)品能夠通過(guò)四個(gè)shot的拼接曝光，實(shí)現(xiàn)100×100mm以上的超大視場(chǎng)，進(jìn)而實(shí)現(xiàn)高密度布線封裝的量產(chǎn)。
2. 繼承FPA-5520iV的基本性能. 新產(chǎn)品繼承了“FPA-5520iV”中實(shí)現(xiàn)的基本性能。 新產(chǎn)品搭載了應(yīng)對(duì)較大翹曲問(wèn)題的基板搬運(yùn)系統(tǒng)，可靈活應(yīng)對(duì)目前應(yīng)用于移動(dòng)終端封裝的主流技術(shù)——FOWLP※1中存在的再構(gòu)成基板出現(xiàn)較大翹曲的問(wèn)題，這一問(wèn)題也是實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的阻礙。 新產(chǎn)品搭載了大視野Alignment scope，針對(duì)芯片排列偏差較大的再構(gòu)成基板，也可以測(cè)出Alignment mark。 新產(chǎn)品可適用于以芯片為單位進(jìn)行定位并曝光的Die by Die Alignment技術(shù)。
※1 Fan Out Wafer Level Package的簡(jiǎn)稱(chēng)。封裝技術(shù)的一種。有可以應(yīng)對(duì)無(wú)基板、封裝面積比芯片大且引腳較多的封裝等優(yōu)勢(shì)。 |
