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DRAM / NAND 巨頭明年加碼半導體投資:三星增加 25%、SK 海力士增加 100%

發布時間:2023-12-21 10:41    發布者:eechina
關鍵詞: DRAM , NAND , 半導體 , 三星 , SK海力士
來源:IT之家

根據韓媒 ETNews 報道,三星和 SK 海力士都計劃 2024 年增加半導體設備投資。

三星計劃投資 27 萬億韓元(IT之家備注:當前約 1482.3 億元人民幣),比 2023 年投資預算增加 25%;而 SK 海力士計劃投資 5.3 萬億韓元(當前約 290.97 億元人民幣),比今年的投資額增長 100%。

報道中指出,三星和 SK 海力士在增加半導體設備投資之外,還提高了 2024 年的產能目標。

報道稱三星將 DRAM 和 NAND 閃存的產量提高 24%,而 SK 海力士的目標是將 DRAM 產能提高到 2022 年年底水平。



根據集邦咨詢公布的 2023 年第 3 季度營收數據,在市場份額方面,三星在 DRAM 領域占有約 38.9% 的市場份額,而 SK 海力士則為 34.3%。



在 NAND 領域,三星擁有約 31.4% 的市場份額,而 SK 海力士則占 20.2%。



DRAM 和 NAND 市場由于長期供應過剩,主要制造商都采取了減產的方式,這種情況直到近期才有所緩解。

在價格反彈的情況下,韓國兩大公司計劃進行重大投資,這引發了人們對存儲器行業可能面臨新挑戰的擔憂。

此外,業界普遍認為,未來一些與 AI 相關的應用將需要大容量內存支持。例如,明年全球智能手機出貨量預計將增長 3%,預計將促進高價值內存市場需求的擴大。

集邦咨詢也指出,近期有關內存廠商擴大投資、提升產能的消息,主要是受 HBM 市場需求增長的推動,而非所有產品的產能擴張。
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