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據(jù)韓媒報道，三星電子已確認(rèn)將從其第10代V-NAND（V10）開始，采用中國長江存儲科技有限責(zé)任公司（YMTC）的專利技術(shù)，特別是在先進(jìn)的“混合鍵合”技術(shù)方面。 三星計劃于2025年下半年開始量產(chǎn)V10 NAND產(chǎn)品，預(yù)計堆疊層數(shù)將達(dá)到420至430層。隨著堆疊層數(shù)的增加，傳統(tǒng)技術(shù)（如COP技術(shù)）在超過400層時面臨底層外圍電路壓力過大、影響可靠性和性能的問題。為解決這一問題，三星決定在V10 NAND中引入長江存儲的“晶棧（Xtacking）”混合鍵合技術(shù)。 “晶棧（Xtacking）”技術(shù)通過直接貼合兩片晶圓，無需傳統(tǒng)凸點(diǎn)連接，從而縮短電氣路徑，提升性能和散熱能力。長江存儲早在四年前就已將混合鍵合技術(shù)應(yīng)用于3D NAND制造，并建立了強(qiáng)大的專利布局。三星在之前的NAND閃存中采用COP（Cell on Peripheral）結(jié)構(gòu)，但隨著層數(shù)增加，下層外圍電路的壓力會影響可靠性。因此，三星選擇通過專利授權(quán)的方式與長江存儲達(dá)成合作，以降低法律風(fēng)險并加速技術(shù)研發(fā)進(jìn)程。 業(yè)內(nèi)人士指出，混合鍵合技術(shù)的關(guān)鍵專利主要掌握在美國Xperi、長江存儲和臺積電手中。三星認(rèn)為，在下一代NAND閃存（如V10、V11和V12）的生產(chǎn)中很難繞過長江存儲的專利，因此選擇通過許可協(xié)議的方式達(dá)成合作。 這一合作不僅有助于三星在400層以上NAND閃存產(chǎn)品的研發(fā)和生產(chǎn)上節(jié)省時間和成本，快速提升產(chǎn)品競爭力，也標(biāo)志著長江存儲在全球3D NAND技術(shù)領(lǐng)域的重要地位進(jìn)一步提升。此外，SK海力士等其他國際存儲巨頭也可能跟進(jìn)，與長江存儲簽署類似的專利授權(quán)協(xié)議。 |
