|
GLOBALFOUNDRIES 今日推出一項專為快速增長的移動市場的最新科技，進一步拓展其頂尖的技術線路圖。GLOBALFOUNDRIES 14 nm-XM技術將為客戶展現(xiàn)三維“FinFET”晶體管的性能和功耗優(yōu)勢，不僅風險更低，而且能夠更快速地推向市場，從而幫助無晶圓廠生態(tài)系統(tǒng)在保持其移動市場領先地位的同時，開發(fā)新一代智能移動設備。 XM 是eXtreme Mobility 的縮寫，作為業(yè)界領先的非平面結(jié)構(gòu)，它真正為移動系統(tǒng)級芯片（SoC）設計做了優(yōu)化，能提供從晶體管到系統(tǒng)級的全方位產(chǎn)品解決方案。與目前20納米節(jié)點的二維平面晶體管相比，該技術可望實現(xiàn)電池功耗效率提升40%~60%。 14 nm-XM技術采用模塊化技術架構(gòu)，完美結(jié)合了14 納米FinFET 器件與GLOBALFOUNDRIES 公司即將量產(chǎn)的20 納米LPM 制程技術。運用成熟的20nm-LPM 技術，能讓想利用FinFET SoC 優(yōu)勢的客戶，最快的實現(xiàn)順利遷移。技術研發(fā)工作已經(jīng)展開，測試硅片正在GLOBALFOUNDRIES 公司設于紐約薩拉托加縣的Fab 8 晶圓廠接受測試。早期流程設計工具（PDKs）現(xiàn)已面市，并預計將于2013 年可提供客戶產(chǎn)品流片。 GLOBALFOUNDRIES 首席技術官Gregg Bartlett表示：“GLOBALFOUNDRIES 投入FinFET 研發(fā)已經(jīng)超過10 年，我們將以此為基礎讓這項技術得以進入生產(chǎn)階段。我們有信心透過這項深厚的基礎帶領業(yè)界實現(xiàn)FinFET的量產(chǎn)，正如我們在高-K金屬柵技術（HKMG）領域的成就。” 以HKMG專業(yè)技術為架構(gòu)基礎 FinFET 架構(gòu)采用傳統(tǒng)的二維晶體管設計，將導電通道置于側(cè)面，形成由電流控制柵極包圍的三維“鰭”狀結(jié)構(gòu)。FinFET 技術的最大亮點就是其優(yōu)異的低功耗特性。三維晶體管設計具有電壓低運行且漏電少的固有特點，即在移動應用中可延長電池壽命，或降低數(shù)據(jù)中心網(wǎng)絡芯片等插入式應用的耗電量。 VLSI Research 市場調(diào)查公司董事長兼首席執(zhí)行官G. Dan Hutcheson 表示：“很多人并不知道FinFET 的架構(gòu)基礎與時下推動行動發(fā)展的HKMG 技術相同。HKMG 技術在減少漏電方面實現(xiàn)了重大創(chuàng)新，F(xiàn)inFET 則在此基礎上又向前推進了一大步，突破了今后多年的技術發(fā)展障礙。但是，要充分挖掘FinFET 技術的價值，企業(yè)需要具備HKMG 技術量產(chǎn)能力。GLOBALFOUNDRIES 公司在這個方面起步較早，已擁有兩年的HKMG 大批量制造經(jīng)驗。” 3D晶體管并非皆可一概而論 GLOBALFOUNDRIES 制定了一套新的技術定義方法，并據(jù)此開發(fā)出經(jīng)濟高效且功耗優(yōu)化的FinFET 技術，成為移動SoC 市場的理想之選。14nm-XM 架構(gòu)實現(xiàn)了性能與功耗的完美平衡，并成功將芯片尺寸和成本降至最低。與此同時，其構(gòu)造方式可帶來最佳的可制造性與設計便利，并允許設計師重復使用上一代產(chǎn)品中的部分IP。除了晶體管結(jié)構(gòu)外，這項技術還充分關注了SoC 級的需求，如支持全系統(tǒng)性能和特殊的移動應用需求。 打造全面SoC 優(yōu)化解決方案的另一個關鍵因素是要會運用整個生態(tài)系統(tǒng)的專業(yè)知識，包括EDA 和設計解決方案合作伙伴以及IP 提供商。FinFET 技術離不開創(chuàng)新思維的支持，特別是來自設計社區(qū)的真知灼見。GLOBALFOUNDRIES 的制程研發(fā)和技術架構(gòu)團隊一直與內(nèi)部設計團隊和設計生態(tài)系統(tǒng)合作伙伴保持著密切協(xié)作，共同優(yōu)化技術和設計環(huán)境。 GLOBALFOUNDRIES 最近宣布與ARM 達成一項新的多年合作協(xié)議，共同為采用FinFET 制程技術的ARM 處理器打造最佳的SoC 解決方案。在共同優(yōu)化ARM® Cortex™-A 系列處理器方面，ARM和GLOBALFOUNDRIES已經(jīng)積累了多年合作經(jīng)驗，而新的協(xié)議進一步延續(xù)了此前的合作，將推動生產(chǎn)IP平臺的發(fā)展，促進客戶迅速轉(zhuǎn)移至三維FinFET 晶體管技術。 ARM物理IP 部門副總經(jīng)理Dipesh Patel 表示：“在不斷發(fā)展中的超級移動時代，F(xiàn)inFET 技術將是下一代智能移動設備發(fā)展的關鍵推手。通過我們與GLOBALFOUNDRIES 多年的接觸與協(xié)同優(yōu)化，我們將為共同的客戶提供先進的系統(tǒng)性能并幫助他們加速過渡以盡早利用FinFET技術帶來的優(yōu)勢。這成果將成為基于下一代ARM處理器和GPUs的、面向移動市場的SoC的開發(fā)平臺。” 資料鏈接 14nm-XM 技術登錄頁面 14nm-XM技術概覽 (PDF 版本可供下載) GLOBALFOUNDRIES首席技術官 Gregg Bartlett博客 GLOBALFOUNDRIES 14nm-XM技術問答 |
