IR推出20V至30V的全新 StrongIRFET系列，為高性能運算和通信應用提供極低導通電阻

發布時間：2014-4-9 11:33 發布者：eechina

關鍵詞： DirectFET , StrongIRFET , IRL6283M , 低導通電阻

國際整流器公司 (International Rectifier，簡稱IR) 擴充StrongIRFET系列，為高性能運算和通信等應用提供20V至30V的器件。IR L6283M 20V DirectFET是該系列的重點器件，具有極低的導通電阻 (RDS(on))。

IRL6283M采用超薄的30 mm2中罐式DirectFET封裝，導通電阻典型值只有500µΩ，可大幅降低傳導損耗，因而非常適合動態ORing和電子保險絲 (eFuse) 應用。新器件可使用3.3V、5V或12V的電源軌操作，在20A電流和同樣的30 mm2尺寸的封裝中，可比同類最佳PQFN器件降低15%的損耗，使設計人員能夠在大電流應用內減少器件數量。

IR亞太區銷售副總裁潘大偉表示：“StrongIRFET系列經過擴充后，能夠滿足市場對動態ORing和電子保險絲的高效開關的需求。全新IRL6283M在高性能封裝內提供行業領先的導通電阻，從而實現無可比擬的功率密度。”

與DirectFET系列的其它器件一樣，IRL6283M可提供有效增強電氣性能和熱性能的頂側冷卻功能，以及旨在提高可靠性的無鍵合線設計。此外，DirectFET封裝符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 的所有要求，例如完全不含鉛的物料清單可適合長生命周期的設計。同類的高性能封裝包含高鉛裸片，雖然符合電子產品有害物質管制規定第7(a) 項豁免條款，但這項豁免將于2016年到期。

規格

器件編號	電壓	最高 VGS	封裝	電流	導通電阻 (典型/最高)			認證級別
	電壓	最高 VGS		額定值	導通電阻 (典型/最高)
	(V)	(V)		(A)	10V	4.5V	2.5V
IRL6283M	20	12	DirectFET MD	211	.50/.75	.65/.87	1.1/1.5	工業
IRFH8201	25	20	PQFN 5x6B	100*	.80/.95	1.20/1.60	不適用
IRFH8202	25				.90/1.05	1.40/1.85
IRFH8303	30				.90/1.10	1.30/1.70
IRFH8307					1.1/1.3	1.7/2.1
IRF8301M			DirectFET MT	192	1.3/1.5	1.9/2.4

IR的StrongIRFET系列同時提供采用了行業標準占位面積的PQFN封裝器件和不含鉛的環保封裝，并符合電子產品有害物質管制規定 (RoHS) 。

產品現正接受批量訂單。更多信息和Spice模型請瀏覽IR的網站http://www.irf.com。

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