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來源：EXPreview 近日在美國加利福利亞州圣何塞舉行的SPIE先進(jìn)光刻技術(shù)會議上，來自光刻生態(tài)系統(tǒng)不同部門的專家討論了Low-NA和High-NA EUV光刻技術(shù)的前景，觀點(diǎn)從高度樂觀到謹(jǐn)慎，特別是High-NA EUV方面，三星表達(dá)了擔(dān)憂。 
三星負(fù)責(zé)存儲器生產(chǎn)的研究員Young Seog Kang表示，作為一名用戶，更關(guān)心的是總成本問題，目前Low-NA已經(jīng)投入使用，芯片制造商可能更愿意使用Low-NA EUV以雙重曝光或采用先進(jìn)封裝技術(shù)作為補(bǔ)充，這可能是更經(jīng)濟(jì)可行的替代方案，而不是直接使用High-NA EUV來完成。Young Seog Kang認(rèn)為，邏輯芯片的布局更為復(fù)雜，新技術(shù)可能在更長時間內(nèi)適用，而存儲器在擴(kuò)展新技術(shù)時，性能和成本方面都存在潛在的挑戰(zhàn)。 相比于三星，英特爾對High-NA EUV的前景更為樂觀一些。按照英特爾的新計(jì)劃，將會在Intel 14A工藝引入High-NA EUV，英特爾掩模業(yè)務(wù)總經(jīng)理Frank Abboud稱，過往在DUV發(fā)揮重要作用的相移掩模有望引入到EUV。ASML系統(tǒng)工程總監(jiān)Jan van Schoot概述了幾種提高光刻分辨率和擴(kuò)展EUV光刻應(yīng)用的方法，表示正在研發(fā)新的光源和其他改進(jìn)k1的策略，現(xiàn)在已經(jīng)有了一些新想法。 JSR（光刻膠供應(yīng)商）的總裁Mark Slezak認(rèn)為，EUV技術(shù)可以持續(xù)20年，DUV技術(shù)的持續(xù)時間也比預(yù)期要長得多。 |
